Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFL014NPBF
IRFL014NPBF

IRFL014NPBF

irfl014n.pdf
Код товару: 23061
Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
10+15.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL014NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 1.9A, SOT-223
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:2.7A
  • On State Resistance:0.16ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:SOT-223
  • Termination Type:Through Hole
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas:48mJ
  • Current Iar:1.7A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:7.3mm
  • External Length / Height:1.7mm
  • External Width:6.7mm
  • Fall Time Tf:3.3ns
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:120`C/W
  • Max Current Idss:1.0eA
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max On State Resistance:0.16ohm
  • Max Power Dissipation Ptot:2.1W
  • Max Repetitive Avalanche Energy:0.1mJ
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs:20V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Min Gfs:1.6A/V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:2V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:1.0W
  • Power Dissipation Pd:1W
  • Power Dissipation on 1 Sq. PCB:1.0W
  • Pulse Current Idm:15A
  • Rate of Voltage Change dv / dt:5.0V/ns

Інші пропозиції IRFL014NPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL014NPBF IRFL014NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfl014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NPBF IRFL014NPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NPBF IRFL014NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN-1228434.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 160mOhms 7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.