Продукція > IR > IRFL014NPBF

IRFL014NPBF


irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 60V 2,7A N-Channel HEXFET SOT223 No Pb
на замовлення 37 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.79 грн
10+ 33.55 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL014NPBF IR

Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFL014NPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFL014NPBF IRFL014NPBF
Код товару: 23061
Виробник : IR irfl014n.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRFL014NPBF IRFL014NPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfl014n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
товар відсутній
IRFL014NPBF IRFL014NPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFL014NPBF IRFL014NPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN-1228434.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 160mOhms 7nC
товар відсутній