Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFL014NTRPBF
IRFL014NTRPBF

IRFL014NTRPBF

irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac
Код товару: 23060
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL014NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:1.9A
  • On Resistance, Rds(on):160mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:223-SOT
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

Інші пропозиції IRFL014NTRPBF за ціною від 12.36 грн до 77.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.48 грн
5000+14.57 грн
7500+13.91 грн
12500+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.53 грн
5000+18.32 грн
7500+18.14 грн
12500+17.32 грн
17500+15.62 грн
25000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.58 грн
5000+18.38 грн
7500+18.20 грн
12500+17.37 грн
17500+15.67 грн
25000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.22 грн
500+23.30 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
285+49.88 грн
391+36.31 грн
514+27.62 грн
1000+24.34 грн
2500+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 13836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.99 грн
10+39.79 грн
100+25.89 грн
500+18.67 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.41 грн
50+50.10 грн
100+34.22 грн
500+23.30 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 48989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.07 грн
10+47.30 грн
100+27.02 грн
500+21.23 грн
1000+18.64 грн
2500+16.48 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+16.48 грн
5000+14.57 грн
7500+13.91 грн
12500+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.53 грн
5000+18.32 грн
7500+18.14 грн
12500+17.32 грн
17500+15.62 грн
25000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.58 грн
5000+18.38 грн
7500+18.20 грн
12500+17.37 грн
17500+15.67 грн
25000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+34.22 грн
500+23.30 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
285+49.88 грн
391+36.31 грн
514+27.62 грн
1000+24.34 грн
2500+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 13836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.99 грн
10+39.79 грн
100+25.89 грн
500+18.67 грн
1000+16.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 5947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+76.41 грн
50+50.10 грн
100+34.22 грн
500+23.30 грн
1000+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 48989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.07 грн
10+47.30 грн
100+27.02 грн
500+21.23 грн
1000+18.64 грн
2500+16.48 грн
5000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.