Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFL014NTRPBF
IRFL014NTRPBF

IRFL014NTRPBF

infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf
Код товару: 23060
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 2,7 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
на замовлення: 12 шт
  • 12 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 7-21 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL014NTRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:1.9A
  • On Resistance, Rds(on):160mohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V
  • Package/Case:223-SOT
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

Інші пропозиції IRFL014NTRPBF за ціною від 14.77 грн до 79.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.40 грн
7500+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
598+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 19068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.47 грн
10+44.22 грн
50+32.58 грн
100+27.04 грн
500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies infineon_irfl014n_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 42240 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+78.98 грн
10+35.79 грн
100+27.49 грн
500+21.20 грн
1000+20.29 грн
2500+16.89 грн
5000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Infineon Technologies irfl014n.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 14572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 14872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.40 грн
7500+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
598+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 598 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description infineon-irfl014n-datasheet-en.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 19068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+73.47 грн
10+44.22 грн
50+32.58 грн
100+27.04 грн
500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description infineon_irfl014n_datasheet_en.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 42240 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.98 грн
10+35.79 грн
100+27.49 грн
500+21.20 грн
1000+20.29 грн
2500+16.89 грн
5000+14.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description irfl014n.pdf
IRFL014NTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 14572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF description INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL014NTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 14872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.