Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFL014NTRPBF
IRFL014NTRPBF

IRFL014NTRPBF Infineon Technologies

irfl014n.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.16 грн
5000+18.58 грн
10000+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL014NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFL014NTRPBF за ціною від 10.64 грн до 60.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF
Код товару: 23060
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.72 грн
5000+13.75 грн
10000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.47 грн
5000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.27 грн
31+20.07 грн
49+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.06 грн
500+19.39 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 5099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+32.95 грн
100+25.17 грн
500+18.52 грн
1000+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN-3363234.pdf MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 5528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.71 грн
10+38.07 грн
100+23.91 грн
500+19.64 грн
1000+17.73 грн
2500+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.25 грн
50+36.73 грн
100+28.06 грн
500+19.39 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF Виробник : JGSEMI irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm; 5A; 1,79W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3; IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878; IRFL014NTRPBF JGSEMI TIRFL014n JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF Виробник : International Rectifier irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878; IRFL014N TIRFL014n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+18.07 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfl014npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.