Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFL014NTRPBF
IRFL014NTRPBF

IRFL014NTRPBF Infineon Technologies

irfl014n.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL014NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFL014NTRPBF за ціною від 12.01 грн до 61.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.35 грн
5000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.33 грн
5000+15.94 грн
10000+12.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.42 грн
5000+17.00 грн
10000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
577+21.25 грн
1000+14.40 грн
Мінімальне замовлення: 577
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.19 грн
500+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL014N_DataSheet_v01_01_EN-3363234.pdf MOSFETs MOSFT 55V 1.9A 160mOhm 7nC
на замовлення 23637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.13 грн
13+28.36 грн
100+23.60 грн
500+18.23 грн
1000+16.57 грн
2500+13.92 грн
5000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Description: MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 25 V
на замовлення 7219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.82 грн
11+31.12 грн
100+24.99 грн
500+17.54 грн
1000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837793-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 1.9 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.60 грн
50+36.32 грн
100+29.19 грн
500+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF
Код товару: 23060
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR irfl014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627c5321fac Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+20.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl014n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD5B487D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl014npbf.pdf?ci_sign=b06b941a782485ee8a69673d6ed3d787b81bf574 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014NTRPBF IRFL014NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD5B487D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl014npbf.pdf?ci_sign=b06b941a782485ee8a69673d6ed3d787b81bf574 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 1.9A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.