Технічний опис IRFL024N
- MOSFET, N SOT-223
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:4A
- On State Resistance:0.075ohm
- Case Style:SOT-223
- Termination Type:SMD
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:55V
- Max Voltage Vgs th:4V
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:2.1W
- Power Dissipation Pd:2.1W
- Pulse Current Idm:11.2A
- SMD Marking:FL024N
- Transistor Case Style:SOT-223
Інші пропозиції IRFL024N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFL024N | International Rectifier |
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRFL024N | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFL024N |
|
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFL024N |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.