Технічний опис IRFL024NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFL024NTRPBF за ціною від 20.69 грн до 33.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC |
на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IRFL024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
|
IRFL024NTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| IRFL024NTRPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 155 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| IRFL024NTRPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори |
на замовлення 782 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 22.38 грн |
| 37+ | 20.69 грн |
| IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
MOSFETs MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 2,8 А, Ptot, Вт = 1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25, Qg, нКл = 18,3 @ 10 В, Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 155 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 30.18 грн |
| IRFL024NTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223 Транзистори
на замовлення 782 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.81 грн |





