Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFL024NTRPBF
IRFL024NTRPBF

IRFL024NTRPBF Infineon Technologies

irfl024n.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL024NTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFL024NTRPBF за ціною від 17.15 грн до 70.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1142+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 1142
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.39 грн
500+21.47 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+63.86 грн
636+19.15 грн
1000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+64.52 грн
20+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 4393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.08 грн
10+41.20 грн
100+26.83 грн
500+19.39 грн
1000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838684-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL024NTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 2.8 A, 0.075 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.74 грн
50+33.70 грн
100+29.39 грн
500+21.47 грн
1000+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024n.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 А; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 155 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
Кількість Ціна
22+28.72 грн
24+26.82 грн
100+24.90 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF Виробник : International Rectifier Corporation irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
на замовлення 152 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfl024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL024N_DataSheet_v01_01_EN-3363062.pdf MOSFETs MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024NTRPBF IRFL024NTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfl024npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.