Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFL024ZTRPBF
IRFL024ZTRPBF

IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFL024ZTRPBF за ціною від 12.38 грн до 61.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2 Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.59 грн
5000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.13 грн
500+17.97 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 26379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
481+25.32 грн
575+21.18 грн
1000+18.74 грн
2000+16.82 грн
2500+13.55 грн
5000+12.66 грн
10000+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 481
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1097+27.76 грн
Мінімальне замовлення: 1097
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0462 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0462ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.53 грн
50+32.52 грн
100+23.13 грн
500+17.97 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2 Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 91634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
10+33.26 грн
100+23.93 грн
500+21.22 грн
1000+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL024Z_DataSheet_v01_01_EN-3363033.pdf MOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
на замовлення 5589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.82 грн
10+42.54 грн
100+25.25 грн
500+20.26 грн
1000+17.98 грн
2500+14.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFL024ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.