IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFL024ZTRPBF за ціною від 14.48 грн до 77.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 77500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL024ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 26374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC |
на замовлення 6571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 79651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |