IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.07 грн |
| 5000+ | 16.92 грн |
| 7500+ | 16.18 грн |
| 12500+ | 14.40 грн |
| 17500+ | 13.94 грн |
| 25000+ | 13.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFL024ZTRPBF за ціною від 14.85 грн до 75.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL024ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC |
на замовлення 5876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 21324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 58251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFL024ZTRPBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 5,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 25, Qg, нКл = 14, Rds = 57,5 мОм, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-261AA Од. вим: 35 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFL024ZTRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IRFL024ZTRPBF | Виробник : International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IRFL024ZTRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 5.1A Power dissipation: 2.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |