Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFL024ZTRPBF
IRFL024ZTRPBF

IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irfl024z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFL024ZTRPBF за ціною від 14.24 грн до 52.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2 Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.11 грн
5000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfl024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfl024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfl024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1317+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 1317
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.15 грн
500+26.10 грн
1000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfl024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
334+36.59 грн
419+29.17 грн
423+28.90 грн
500+23.70 грн
1000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 334
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfl024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 26374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
277+44.17 грн
345+35.38 грн
500+27.17 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 277
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627dcd91fb2 Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 88357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.31 грн
10+36.50 грн
100+27.31 грн
500+21.34 грн
1000+19.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfl024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+46.53 грн
18+39.55 грн
25+39.21 грн
100+30.14 грн
250+27.65 грн
500+22.57 грн
1000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFL024Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 5.1A 57.5mOhm 9.1nC
на замовлення 8399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.16 грн
10+39.85 грн
100+25.97 грн
500+22.09 грн
1000+19.96 грн
2500+15.00 грн
5000+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : INFINEON 717253.pdf Description: INFINEON - IRFL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.1 A, 0.0575 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0575ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.63 грн
50+44.26 грн
100+33.15 грн
500+26.10 грн
1000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfl024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE3F07F0275EA&compId=IRFL024ZTRPBF.pdf?ci_sign=8c23d246f7a2ed4b15ce6df643c8a84d048dd9c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL024ZTRPBF IRFL024ZTRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE3F07F0275EA&compId=IRFL024ZTRPBF.pdf?ci_sign=8c23d246f7a2ed4b15ce6df643c8a84d048dd9c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.