IRFL210 Siliconix

Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 960mA; 3,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL210 TIRFL210
кількість в упаковці: 25 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
50+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 50

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFL210 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFL210

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IRFL210 Код товару: 39139	Виробник : Vishay	Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 0,96 A Rds(on), Ohm: 1,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 140/8,2 Монтаж: SMD	товар відсутній
IRFL210	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V	товар відсутній
IRFL210	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFET RECOMMENDED ALT IRFL210TRPBF	товар відсутній