IRFL4105TRPBF

IRFL4105TRPBF Infineon Technologies


irfl4105.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL4105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFL4105TRPBF за ціною від 10.28 грн до 71.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+10.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8 Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.16 грн
5000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.98 грн
5000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+28.04 грн
26+23.87 грн
39+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.87 грн
500+23.37 грн
1000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL4105_DS_v01_01_EN-3363380.pdf MOSFETs MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.30 грн
10+42.72 грн
100+27.29 грн
500+22.81 грн
1000+21.41 грн
2500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.42 грн
11+35.10 грн
25+29.89 грн
40+22.68 грн
109+21.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8 Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 5325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+36.40 грн
100+26.25 грн
500+21.68 грн
1000+19.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+69.32 грн
19+44.40 грн
100+30.87 грн
500+23.37 грн
1000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 934 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.30 грн
10+43.74 грн
25+35.86 грн
40+27.22 грн
109+25.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.