Продукція > INFINEON > IRFL4105TRPBF
IRFL4105TRPBF

IRFL4105TRPBF INFINEON

INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL4105TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції IRFL4105TRPBF за ціною від 16.32 грн до 81.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.46 грн
11+39.87 грн
50+30.39 грн
100+27.26 грн
200+24.55 грн
500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Infineon Technologies irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8 Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.37 грн
10+44.72 грн
100+29.32 грн
500+21.29 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFL4105_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.35 грн
10+48.36 грн
100+27.57 грн
500+21.38 грн
1000+19.34 грн
2500+16.67 грн
5000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.14 грн
17+50.54 грн
100+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+67.46 грн
11+39.87 грн
50+30.39 грн
100+27.26 грн
200+24.55 грн
500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8
IRFL4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.37 грн
10+44.72 грн
100+29.32 грн
500+21.29 грн
1000+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF Infineon_IRFL4105_DS_v01_01_EN.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+78.35 грн
10+48.36 грн
100+27.57 грн
500+21.38 грн
1000+19.34 грн
2500+16.67 грн
5000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+81.14 грн
17+50.54 грн
100+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.