Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFL4105TRPBF
IRFL4105TRPBF

IRFL4105TRPBF Infineon Technologies

irfl4105.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL4105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFL4105TRPBF за ціною від 19.48 грн до 53.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.02 грн
5000+20.36 грн
10000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.51 грн
5000+21.68 грн
10000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.34 грн
500+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDC8CA1D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4105pbf.pdf?ci_sign=d9a4fd47158d122281f0b3beebd5ed2729db0339 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.54 грн
15+28.79 грн
50+24.66 грн
100+23.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8 Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.23 грн
10+43.83 грн
100+30.54 грн
500+22.98 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDC8CA1D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4105pbf.pdf?ci_sign=d9a4fd47158d122281f0b3beebd5ed2729db0339 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.25 грн
10+35.88 грн
50+29.60 грн
100+27.66 грн
500+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+53.73 грн
28+32.05 грн
100+25.34 грн
500+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8 Description: MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFL4105-DS-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 3.7A 45mOhm 23nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.