Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFL4105TRPBF

IRFL4105TRPBF

irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8
Код товару: 222223
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFL4105TRPBF за ціною від 22.77 грн до 67.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+67.46 грн
11+39.87 грн
50+30.39 грн
100+27.26 грн
200+24.55 грн
500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+67.46 грн
11+39.87 грн
50+30.39 грн
100+27.26 грн
200+24.55 грн
500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF INFN-S-A0002255705-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5.2 A, 0.045 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

3,3 Ohms ±1% 1W MMB02070C3308FB200
Код товару: 222226
Додати до обраних Обраний товар
Вивідні резистори > 1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
LM358PWR
Код товару: 222225
Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
Мікросхеми > Інші мікросхеми
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRLPBF
Код товару: 222224
Додати до обраних Обраний товар
irfr9024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635f91d2132
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ30CA-E3/52
Код товару: 181460
Додати до обраних Обраний товар
smbj.pdf
SMBJ30CA-E3/52
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори)
Корпус: SMB (DO-214AA)
Пікова потужність, P, Вт: 600 Вт
Напруга пробою, Vbr: 36,8 В
Постійна зворотна напруга, Vrm: 30 В
Струм витоку, Irm: 1 мкА
Конструкція діода: Двоспрямований
Монтаж: SMD
у наявності: 193 шт
  • 87 шт - склад
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 40 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
  • 1000 шт - очікується 05.10.2026
КількістьЦіна без ПДВ
4+6.00 грн
10+5.00 грн
100+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1D
Код товару: 175546
1 Додати до обраних Обраний товар
es1-datasheet.pdf
ES1D
Виробник: Vishay/Yongyutai
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Зворотна напруга Vrr, В: 200 В
Середній струм Iav, А: 1 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 20 ns
Монтаж: SMD
у наявності: 2041 шт
  • 1777 шт - склад
  • 58 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 181 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 25 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
7+3.00 грн
10+2.50 грн
100+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.