IRFL4310PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 A, Ptot, Вт = 2,1, Тип монт. = smd, Rds = 200 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4, Pb-free,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL4310PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції IRFL4310PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL4310PBF | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V SOT223Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRFL4310PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFL4310PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFL4310PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.