IRFL4310PBF International Rectifier/Infineon
Виробник: International Rectifier/InfineonN-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,6 A; Ptot, Вт = 2,1; Тип монт. = smd; Rds = 200 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2...4; Pb-free; SOT-223
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 15.66 грн |
| 43+ | 14.62 грн |
| 100+ | 13.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL4310PBF International Rectifier/Infineon
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFL4310PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL4310PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFL4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRFL4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFL4310PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET200mOhms |
товару немає в наявності |