Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFL4310TRPBF
IRFL4310TRPBF

IRFL4310TRPBF

irfl4310pbf.pdf
Код товару: 53875
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 1,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,20 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності: 23 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21.00 грн
10+18.60 грн
100+17.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFL4310TRPBF за ціною від 18.02 грн до 80.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.53 грн
30+25.71 грн
42+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.16 грн
10+45.10 грн
50+33.32 грн
100+27.69 грн
500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.00 грн
15+52.91 грн
50+45.18 грн
100+35.59 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+80.00 грн
267+52.91 грн
313+45.18 грн
383+35.59 грн
517+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
на замовлення 13616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.53 грн
30+25.71 грн
42+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc
IRFL4310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.16 грн
10+45.10 грн
50+33.32 грн
100+27.69 грн
500+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.00 грн
15+52.91 грн
50+45.18 грн
100+35.59 грн
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
177+80.00 грн
267+52.91 грн
313+45.18 грн
383+35.59 грн
517+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc
IRFL4310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
на замовлення 13616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF 671655.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF 671655.pdf
IRFL4310TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1719
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 47 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 24470 шт
  • 17540 шт - склад
  • 2030 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5000 шт
  • 5000 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1607
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 17965 шт
  • 17965 шт - склад
на замовлення: 4187 шт
  • 4187 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1402
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 496 шт
  • 496 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2901N
Код товару: 1277
Додати до обраних Обраний товар
NATLS13283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
LM2901N
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Напруга живлення Udss, В: ±18 В
Струм Id, А: 0,006 А
Темп.діапазон: -40...+125°С
у наявності: 198 шт
  • 184 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD)
Код товару: 1215
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 921 шт
  • 921 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.