IRFL4310TRPBF
Код товару: 53875
Виробник: IRКорпус: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності 25 шт:
15 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 21.00 грн |
| 10+ | 18.60 грн |
| 100+ | 17.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFL4310TRPBF за ціною від 11.91 грн до 87.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 92500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 92500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 6977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC |
на замовлення 5071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 2209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 1N5408 Код товару: 2135
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 9635 шт
9255 шт - склад
380 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
380 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
300 шт
300 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 3.00 грн |
| 24+ | 2.10 грн |
| 100+ | 1.90 грн |
| 1000+ | 1.80 грн |
| 47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1719
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 47 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 47 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 30750 шт
26600 шт - склад
2750 шт - РАДІОМАГ-Київ
1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2750 шт - РАДІОМАГ-Київ
1400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1607
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується:
20000 шт
20000 шт - очікується 30.04.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1402
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 10196 шт
576 шт - склад
4720 шт - РАДІОМАГ-Київ
4900 шт - РАДІОМАГ-Львів
4720 шт - РАДІОМАГ-Київ
4900 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| LM2901N Код товару: 1277
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C
у наявності: 20 шт
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |







