IRFL4310TRPBF
Код товару: 53875
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності: 25 шт
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 18.60 грн |
| 100+ | 17.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFL4310TRPBF за ціною від 13.97 грн до 75.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 9793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 2504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC |
на замовлення 10659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.13 грн |
| 5000+ | 15.16 грн |
| 7500+ | 14.48 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.32 грн |
| 5000+ | 18.14 грн |
| 7500+ | 17.96 грн |
| 12500+ | 17.15 грн |
| 17500+ | 15.51 грн |
| 25000+ | 14.74 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 18.38 грн |
| 5000+ | 18.20 грн |
| 7500+ | 18.01 грн |
| 12500+ | 17.20 грн |
| 17500+ | 15.56 грн |
| 25000+ | 14.78 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.33 грн |
| 5000+ | 19.14 грн |
| 7500+ | 18.95 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 19.33 грн |
| 5000+ | 19.14 грн |
| 7500+ | 18.95 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 28.56 грн |
| 30+ | 25.52 грн |
| 39+ | 19.51 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.68 грн |
| 500+ | 20.50 грн |
| 1000+ | 17.18 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 277+ | 51.35 грн |
| 389+ | 36.45 грн |
| 500+ | 29.45 грн |
| 1000+ | 25.93 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.13 грн |
| 10+ | 41.23 грн |
| 100+ | 26.85 грн |
| 500+ | 19.38 грн |
| 1000+ | 17.51 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 69.25 грн |
| 50+ | 43.99 грн |
| 100+ | 28.68 грн |
| 500+ | 20.50 грн |
| 1000+ | 17.18 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
на замовлення 10659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.68 грн |
| 10+ | 44.65 грн |
| 100+ | 26.39 грн |
| 500+ | 20.32 грн |
| 1000+ | 18.36 грн |
| 2500+ | 15.36 грн |
| 5000+ | 13.97 грн |
| IRFL4310TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1719
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 47 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 47 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 26840 шт
- 19090 шт - склад
- 2650 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1607
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 19500 шт
- 19500 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 1402
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 8896 шт
- 176 шт - склад
- 4520 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4200 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| LM2901N Код товару: 1277
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C
у наявності: 204 шт
- 190 шт - склад
- 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD) Код товару: 1215
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 32110 шт
- 22510 шт - склад
- 4700 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 4900 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |








