IRFL4310TRPBF

IRFL4310TRPBF


irfl4310pbf.pdf
Код товару: 53875
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності 25 шт:

15 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+21.00 грн
10+18.60 грн
100+17.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFL4310TRPBF за ціною від 13.21 грн до 78.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.56 грн
5000+15.41 грн
7500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.56 грн
5000+15.41 грн
7500+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.06 грн
5000+15.10 грн
7500+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+27.76 грн
30+24.93 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.72 грн
500+22.68 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 9793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.85 грн
10+41.06 грн
100+26.74 грн
500+19.31 грн
1000+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL4310_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
на замовлення 4488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.88 грн
10+42.39 грн
100+24.97 грн
500+19.26 грн
1000+17.39 грн
2500+14.74 грн
5000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+73.39 грн
279+50.08 грн
412+33.95 грн
511+26.37 грн
1000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+78.29 грн
50+48.60 грн
100+31.72 грн
500+22.68 грн
1000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF Виробник : Infineon irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa, pbf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF Виробник : International Rectifier irfl4310pbf.pdf 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa, pbf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfl4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1719
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 47 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 26950 шт
19200 шт - склад
2650 шт - РАДІОМАГ-Київ
5100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1607
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 19800 шт
19800 шт - склад
Кількість Ціна
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1402
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 8896 шт
176 шт - склад
4520 шт - РАДІОМАГ-Київ
4200 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
LM2901N
Код товару: 1277
Додати до обраних Обраний товар
NATLS13283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm339
LM2901N
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Udss,V: ±18 V
Id,A: 0.006 A
Темп.діапазон: -40...+125°C
у наявності: 4 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 200 шт
200 шт - очікується 20.06.2026
Кількість Ціна
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD)
Код товару: 1215
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 37810 шт
28010 шт - склад
4800 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.