IRFL4310TRPBF
Код товару: 53875
Виробник: IRКорпус: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності 33 шт:
15 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21.00 грн |
| 10+ | 18.60 грн |
| 100+ | 17.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFL4310TRPBF за ціною від 12.80 грн до 76.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 52500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 132500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 132500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 11462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC |
на замовлення 4383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
IRFL4310TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| BZX84-C18 Код товару: 9995
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOT-23
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
у наявності: 91 шт
91 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| IRLML0100TRPBF Код товару: 38413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,22 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/2,5
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 1424 шт
958 шт - склад
99 шт - РАДІОМАГ-Київ
86 шт - РАДІОМАГ-Львів
84 шт - РАДІОМАГ-Одеса
197 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
99 шт - РАДІОМАГ-Київ
86 шт - РАДІОМАГ-Львів
84 шт - РАДІОМАГ-Одеса
197 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.80 грн |
| 100+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |
| Кнопка тактова SWT-2/5 (KLS7-TS6601-H2 = 5.0) Код товару: 48413
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: THT
Розмір, mm: 6x6 mm
Висота кнопки, mm: 5 mm
Опис: Кнопка "OFF-ON". Без фіксації, повна висота всієї кнопки: 5 mm
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
Пасивні компоненти > Кнопки та клавіатури
Тип: Кнопки тактові
Вивідна/SMD: THT
Розмір, mm: 6x6 mm
Висота кнопки, mm: 5 mm
Опис: Кнопка "OFF-ON". Без фіксації, повна висота всієї кнопки: 5 mm
Контакти: SPST-NO
Алгоритм роботи: OFF-(ON)
у наявності: 1893 шт
1246 шт - склад
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
494 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
97 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
494 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується 13.12.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.80 грн |
| 100+ | 1.40 грн |
| 1000+ | 0.90 грн |
| 330 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-330R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3666
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 330 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 330 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 13340 шт
2340 шт - склад
2400 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
3600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2400 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
3600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
40000 шт
40000 шт - очікується 11.11.2025
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 0.12 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 100uF 25V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR101M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 3645
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6,3х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 146 шт
42 шт - РАДІОМАГ-Харків
104 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
104 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 1.60 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |








