IRFL4310TRPBF


irfl4310pbf.pdf
Код товару: 53875
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 1,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,20 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності: 25 шт
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+21.00 грн
10+18.60 грн
100+17.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFL4310TRPBF за ціною від 15.47 грн до 79.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.23 грн
5000+17.04 грн
7500+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.98 грн
5000+19.19 грн
7500+19.07 грн
12500+18.30 грн
17500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.08 грн
5000+19.28 грн
7500+19.16 грн
12500+18.39 грн
17500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.34 грн
5000+24.24 грн
7500+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.34 грн
5000+24.24 грн
7500+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.02 грн
28+27.47 грн
34+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.80 грн
381+37.17 грн
500+29.93 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.82 грн
100+29.93 грн
500+21.68 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.82 грн
15+52.80 грн
100+37.17 грн
500+28.86 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFL4310_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
на замовлення 10649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF Infineon Technologies irfl4310pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF IRFL4310TRPBF INFINEON 671655.pdf Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+19.23 грн
5000+17.04 грн
7500+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+20.98 грн
5000+19.19 грн
7500+19.07 грн
12500+18.30 грн
17500+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.08 грн
5000+19.28 грн
7500+19.16 грн
12500+18.39 грн
17500+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.34 грн
5000+24.24 грн
7500+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+26.34 грн
5000+24.24 грн
7500+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+31.02 грн
28+27.47 грн
34+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
268+52.80 грн
381+37.17 грн
500+29.93 грн
1000+26.31 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562804ba1fbc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 8562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.03 грн
10+45.82 грн
100+29.93 грн
500+21.68 грн
1000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+79.82 грн
15+52.80 грн
100+37.17 грн
500+28.86 грн
1000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF Infineon_IRFL4310_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
на замовлення 10649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF 671655.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF irfl4310pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4310TRPBF 671655.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFL4310TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

47 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-47KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1719
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 47 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 24970 шт
  • 18040 шт - склад
  • 2030 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4900 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 5000 шт
  • 5000 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
39 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-39K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1607
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 39 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 19300 шт
  • 19300 шт - склад
на замовлення: 4352 шт
  • 4352 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
12 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-12K-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1402
1 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 12 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 5496 шт
  • 3196 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2300 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 1200 шт
  • 1200 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
LM2901N
Код товару: 1277
Додати до обраних Обраний товар
NATLS13283-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm339
Виробник: TI
Мікросхеми > Компaратори
Корпус: DIP-14
Функц.опис: Кількість каналів: 4; Uпіт, В: ±18; tз, нс: 300; Тип виходу: OK; Uсм, мВ: 7; Iпотр, мА: 2;
Напруга живлення Udss, В: ±18 В
Струм Id, А: 0,006 А
Темп.діапазон: -40...+125°С
у наявності: 198 шт
  • 184 шт - склад
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD)
Код товару: 1215
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 кОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 17270 шт
  • 8170 шт - склад
  • 4200 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 4900 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 40000 шт
  • 40000 шт - очікується
на замовлення: 2100 шт
  • 2100 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.