Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFL4315TRPBF
IRFL4315TRPBF

IRFL4315TRPBF Infineon Technologies

irfl4315.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL4315TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFL4315TRPBF за ціною від 16.11 грн до 56.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356280dbc1fbe Description: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+17.71 грн
5000+16.57 грн
7500+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+19.12 грн
10000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
620+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 620
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.40 грн
10000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.22 грн
40000+23.96 грн
60000+22.30 грн
80000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+26.67 грн
29+24.44 грн
100+20.97 грн
250+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.59 грн
500+26.26 грн
1000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356280dbc1fbe Description: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
на замовлення 7828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.49 грн
10+32.69 грн
100+24.18 грн
500+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFL4315_DataSheet_v01_01_EN-3363342.pdf MOSFETs MOSFT 150V 2.6A 185mOhm 12nC
на замовлення 7769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.05 грн
11+34.16 грн
100+22.09 грн
500+21.71 грн
2500+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837895-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+56.48 грн
50+42.12 грн
100+30.59 грн
500+26.26 грн
1000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfl4315.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDFD0C09EFF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4315pbf.pdf?ci_sign=8964934cac05ad8809fafbd0c19edf4cb7c5ebfa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4315TRPBF IRFL4315TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDFD0C09EFF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4315pbf.pdf?ci_sign=8964934cac05ad8809fafbd0c19edf4cb7c5ebfa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 2.8W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.