
IRFL4315TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 16.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL4315TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFL4315TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 2.6 A, 0.185 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFL4315TRPBF за ціною від 14.99 грн до 64.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V |
на замовлення 9178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.6A Power dissipation: 2.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFL4315TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 2.6A; 2.8W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 2.6A Power dissipation: 2.8W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |