Результат пошуку "irfl9014pbf.." : 2
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFL9014TRPBF | VISHAY |
![]() ![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFL9014TRPBF | VISHAY |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 16072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFL9014TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 54.74 грн |
10+ | 45.15 грн |
50+ | 17.94 грн |
136+ | 16.97 грн |
IRFL9014TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 16072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 71.89 грн |
13+ | 65.85 грн |
100+ | 48.30 грн |
500+ | 38.27 грн |
1000+ | 34.64 грн |
5000+ | 24.77 грн |