Результат пошуку "irfl9014pbf.." : 2

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.76 грн
10+46.82 грн
49+18.53 грн
135+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF IRFL9014TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 15337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.21 грн
13+67.53 грн
100+57.43 грн
500+45.58 грн
1000+41.29 грн
5000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE697DE8CADB6242FA8&compId=IRFL9014-DTE.pdf?ci_sign=55bc1511357d5ebad38d13a71f5551a4067fec3c
IRFL9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.1A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.76 грн
10+46.82 грн
49+18.53 грн
135+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9014TRPBF description VISH-S-A0012362802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL9014TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 15337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.21 грн
13+67.53 грн
100+57.43 грн
500+45.58 грн
1000+41.29 грн
5000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.