на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL9014TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Можливі заміни IRFL9014TRPBF Vishay
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL9014 Код товару: 123235
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : SILI |
 Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SOT-223 Uds,V: 60 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/12 Монтаж: SMD |
у наявності: 112 шт
100 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ 7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRFL9014TRPBF за ціною від 19.53 грн до 75.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFL9014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFL9014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6580 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp |
на замовлення 9090 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFL9014TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 13112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 60145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFL9014TRPBF Код товару: 31799
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 60 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 0,5 Ohm Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFL9014TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |