IRFL9014TRPBF
Код товару: 31799
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,5 Ом
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 24.50 грн |
| 10+ | 21.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL9014TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- D
Можливі заміни IRFL9014TRPBF IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFL9014 Код товару: 123235
Додати до обраних
Обраний товар
|
SILI |
Транзистори > Польові P-канальніКорпус: SOT-223 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Id, А: 1,8 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/12 Монтаж: SMD |
у наявності: 38 шт
|
|
| IRFL9014 Код товару: 123235
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/12
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Id, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 270/12
Монтаж: SMD
у наявності: 38 шт
- 15 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 43.00 грн |
| 10+ | 38.60 грн |
Інші пропозиції IRFL9014TRPBF за ціною від 22.26 грн до 223.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFL9014TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 7474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223 Mounting: SMD Pulsed drain current: -14A Power dissipation: 3.1W Gate charge: 12nC Polarisation: unipolar Drain current: -1.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -60V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT223 On-state resistance: 0.5Ω |
на замовлення 7802 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
на замовлення 7474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp |
на замовлення 4204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFL9014TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 3.1W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.72 грн |
| 5000+ | 32.82 грн |
| 10000+ | 31.81 грн |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.72 грн |
| 5000+ | 32.82 грн |
| 10000+ | 31.81 грн |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 7474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 67.58 грн |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 91.31 грн |
| 200+ | 70.83 грн |
| 500+ | 57.12 грн |
| 1000+ | 49.31 грн |
| 2500+ | 38.74 грн |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; Idm: -14A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 3.1W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
On-state resistance: 0.5Ω
на замовлення 7802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 94.81 грн |
| 10+ | 59.68 грн |
| 100+ | 46.30 грн |
| 500+ | 37.33 грн |
| 1000+ | 33.44 грн |
| 2500+ | 28.36 грн |
| 5000+ | 24.55 грн |
| 7500+ | 22.26 грн |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
на замовлення 7474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 223.11 грн |
| 10+ | 138.96 грн |
| 50+ | 106.37 грн |
| 100+ | 89.95 грн |
| 500+ | 72.65 грн |
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
MOSFETs P-Chan 60V 1.1 Amp
на замовлення 4204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFL9014TRPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| 0 Ohm 5% 0805 (0805S8J0000T50-UNI-OHM) (резистор SMD) Код товару: 149420
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Uni-Ohm
SMD резистори > 0805
Номінал: 0 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 0 Ом
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,125 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 13790 шт
- 8630 шт - склад
- 4760 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 400 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.09 грн |
| 10000+ | 0.06 грн |
| NX2500-04SMS A2501WV-4P Код товару: 122522
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: JOINT TECH
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо пряме; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 4; THT; 250В; 3А
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 2,5 мм
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: На плату
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Гніздо пряме; провід-плата; "тато"; 2,5мм; PIN: 4; THT; 250В; 3А
Вилка/гніздо: Гніздо
К-сть контактів: 4
Крок контактів: 2,5 мм
Серія роз’єма: NX2500
Монтаж: На плату
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 нФ
Номін. напруга: 50 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 31350 шт
- 25361 шт - склад
- 884 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 1200 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 3560 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 345 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 250000 шт
- 50000 шт - очікується 20.09.2026
- 200000 шт - очікується 01.11.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.20 грн |
| 100+ | 0.90 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 10000+ | 0.55 грн |
| 10uF 50V X5R 10% 1206 (CL31A106KBHNNNE-Samsung) Код товару: 52241
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 мкФ
Номін.напруга: 50 В
Діелектрик: X5R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
очікується: 10000 шт
- 10000 шт - очікується 05.10.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 8.00 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| IRLML9301TRPBF Код товару: 34218
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Id, А: 3,6 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,064 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 388/4,8
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 2476 шт
- 2340 шт - склад
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 80 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 45 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.30 грн |
| 100+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.30 грн |













