Продукція > ONSEMI > IRFM120ATF
IRFM120ATF

IRFM120ATF onsemi

irfm120a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+20.20 грн
8000+18.05 грн
12000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFM120ATF onsemi

Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.4W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції IRFM120ATF за ціною від 18.94 грн до 82.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+24.81 грн
8000+22.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+25.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ONSEMI FAIRS20730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.04 грн
500+23.35 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+37.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
228+54.35 грн
325+38.13 грн
500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 228
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ONSEMI FAIRS20730-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - IRFM120ATF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.14 грн
18+47.68 грн
100+34.04 грн
500+23.35 грн
1000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : onsemi / Fairchild IRFM120A-D.PDF MOSFETs 100V Single
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.53 грн
10+55.39 грн
100+31.63 грн
500+25.29 грн
1000+22.95 грн
2000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+77.64 грн
13+58.24 грн
100+40.85 грн
500+31.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : onsemi irfm120a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 13082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.48 грн
10+49.78 грн
100+32.76 грн
500+23.88 грн
1000+21.67 грн
2000+19.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF
Код товару: 129782
Додати до обраних Обраний товар

irfm120a-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFM120ATF Виробник : ONSEMI irfm120a-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.3A; Idm: 18A; 2.4W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 0.2Ω
Drain current: 2.3A
Power dissipation: 2.4W
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.