Продукція > ON SEMICONDUCTOR > IRFM120ATF
IRFM120ATF

IRFM120ATF ON Semiconductor

irfm120a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFM120ATF ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFM120ATF за ціною від 18.1 грн до 55.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : onsemi / Fairchild IRFM120A_D-2314286.pdf MOSFET 100V Single
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 786-795 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.64 грн
10+ 46.04 грн
100+ 28.81 грн
500+ 24.07 грн
1000+ 20.51 грн
2000+ 18.3 грн
4000+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFM120ATF
Код товару: 129782 		irfm120a-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : ON Semiconductor irfm120a-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : onsemi irfm120a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFM120ATF IRFM120ATF Виробник : onsemi irfm120a-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
товар відсутній