IRFML8244TRPBF China
Код товару: 198685
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: China
Корпус: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 4,6 A
Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 430/5,4
Монтаж: SMD
у наявності 592 шт:
453 шт - склад
74 шт - РАДІОМАГ-Київ
54 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
| 1000+ | 1.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни IRFML8244TRPBF China
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFML8244TRPBF Код товару: 94121
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
IR |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: SOT-23 Uds,V: 25 V Idd,A: 4,6 A Rds(on), Ohm: 24 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 430/5,4 Монтаж: SMD |
у наявності: 2537 шт
2493 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 38 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
| IRFML8244TRPBF Код товару: 94121
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 4,6 A
Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 430/5,4
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 25 V
Idd,A: 4,6 A
Rds(on), Ohm: 24 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 430/5,4
Монтаж: SMD
у наявності: 2537 шт
2493 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
38 шт - РАДІОМАГ-Львів
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
38 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.50 грн |
| 10+ | 4.90 грн |
| 100+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 3.90 грн |
Інші пропозиції IRFML8244TRPBF за ціною від 4.54 грн до 50.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 11440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 25V Drain current: 5.8A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 24mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.4nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 44323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 1.25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm |
на замовлення 11440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V |
на замовлення 34092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg |
на замовлення 4484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.77 грн |
| 6000+ | 5.91 грн |
| 9000+ | 5.60 грн |
| 15000+ | 4.92 грн |
| 21000+ | 4.73 грн |
| 30000+ | 4.54 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.53 грн |
| 6000+ | 6.36 грн |
| 9000+ | 6.29 грн |
| 24000+ | 6.01 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.05 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.05 грн |
| 6000+ | 10.01 грн |
| 9000+ | 9.48 грн |
| 15000+ | 8.57 грн |
| 21000+ | 7.62 грн |
| 30000+ | 7.02 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 11440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.47 грн |
| 500+ | 8.69 грн |
| 1000+ | 7.17 грн |
| 5000+ | 5.55 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 15.50 грн |
| 34+ | 12.53 грн |
| 38+ | 11.43 грн |
| 100+ | 8.04 грн |
| 500+ | 6.52 грн |
| 1000+ | 6.01 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 840+ | 16.81 грн |
| 872+ | 16.20 грн |
| 1000+ | 15.67 грн |
| 2500+ | 14.67 грн |
| 5000+ | 13.22 грн |
| 10000+ | 12.38 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 24.09 грн |
| 51+ | 14.93 грн |
| 100+ | 9.25 грн |
| 500+ | 6.82 грн |
| 1000+ | 5.61 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 44323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 546+ | 25.86 грн |
| 882+ | 16.01 грн |
| 1153+ | 12.25 грн |
| 1296+ | 10.51 грн |
| 3000+ | 7.15 грн |
| 6000+ | 5.11 грн |
| 9000+ | 5.06 грн |
| 15000+ | 5.02 грн |
| 21000+ | 4.97 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
Description: INFINEON - IRFML8244TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 5.8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 11440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 32+ | 25.93 грн |
| 49+ | 16.98 грн |
| 100+ | 12.47 грн |
| 500+ | 8.69 грн |
| 1000+ | 7.17 грн |
| 5000+ | 5.55 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 10 V
на замовлення 34092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.86 грн |
| 17+ | 18.44 грн |
| 100+ | 11.64 грн |
| 500+ | 8.16 грн |
| 1000+ | 7.26 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
MOSFETs MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 50.13 грн |
| 10+ | 34.53 грн |
| 100+ | 18.99 грн |
| 500+ | 11.74 грн |
| 1000+ | 8.65 грн |
| 3000+ | 7.67 грн |
| 6000+ | 6.68 грн |
| IRFML8244TRPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
З цим товаром купують
| KIRLML5203TRPBF Код товару: 185651
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KUU
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 A
Rds(on),Om: 98 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9,5
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 A
Rds(on),Om: 98 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9,5
Монтаж: SMD
у наявності: 733 шт
535 шт - склад
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
143 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
19 шт - РАДІОМАГ-Київ
143 шт - РАДІОМАГ-Харків
36 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.15 грн |
| LTV817S-TA1 [C] Код товару: 31279
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
у наявності: 7358 шт
6028 шт - склад
83 шт - РАДІОМАГ-Київ
466 шт - РАДІОМАГ-Львів
370 шт - РАДІОМАГ-Харків
411 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
83 шт - РАДІОМАГ-Київ
466 шт - РАДІОМАГ-Львів
370 шт - РАДІОМАГ-Харків
411 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.40 грн |
| 100+ | 4.90 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| 0 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-0R-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 3684
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
SMD резистори > 1206
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 14000 шт
4000 шт - склад
5000 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
5000 шт - РАДІОМАГ-Київ
5000 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.30 грн |
| 10000+ | 0.20 грн |
| IRLML9303TRPBF Код товару: 38416
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 160/2.0
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 2,3 A
Rds(on),Om: 0,165 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 160/2.0
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 931 шт
698 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
85 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
85 шт - РАДІОМАГ-Львів
100 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується 20.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| Гніздо USBA-1J вертикальний (KLS1-181B-W) Код товару: 44842
5
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
Опис: Гніздо USB тип А з вертикальною установкою на плату
Тип: USB-A
Вилка/гніздо: Гніздо
Мех.монтаж: на плату
Електр.монтаж: THT
Орієнтація в просторі: Вертикальний
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > USB
Опис: Гніздо USB тип А з вертикальною установкою на плату
Тип: USB-A
Вилка/гніздо: Гніздо
Мех.монтаж: на плату
Електр.монтаж: THT
Орієнтація в просторі: Вертикальний
у наявності: 602 шт
371 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
81 шт - РАДІОМАГ-Львів
105 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
81 шт - РАДІОМАГ-Львів
105 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.30 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 2.00 грн |







![LTV817S-TA1 [C] LTV817S-TA1 [C]](/img/smd-4.jpg)

