IRFP048NPBF

IRFP048NPBF Infineon Technologies


IRSDS10312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: IRFP048 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 36164 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
424+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 424
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP048NPBF Infineon Technologies

Description: IRFP048 - 12V-300V N-CHANNEL POW, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFP048NPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP048NPBF IRFP048NPBF
Код товару: 121696
Виробник : IR IRFP048NPbF.pdf IRSDS10312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1900/89
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFP048NPBF IRFP048NPBF Виробник : Infineon Technologies IRFP048NPbF.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 64A TO247AC
Packaging: Bag
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP048NPBF IRFP048NPBF Виробник : International Rectifier IRSDS10312-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP048NPBF IRFP048NPBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFP048N_DataSheet_v01_01_EN-1228439.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms 59.3nC
товар відсутній