IRFP1405PBF Infineon Technologies
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 82.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP1405PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 160 A, 5300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFP1405PBF за ціною від 86.29 грн до 278.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP1405PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP1405PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP1405PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 5684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP1405PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP1405PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 64 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP1405PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 160A 5.3mOhm 120nCAC |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP1405PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP1405PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP1405PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 160 A, 5300 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP1405PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 4889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP1405PBF Код товару: 117174
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP1405PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFP1405PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |