Продукція > Транзистори > IGBT > IRFP22N50APBF

IRFP22N50APBF

irfp22n50a.pdf
Код товару: 45108
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > IGBT

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFP22N50APBF за ціною від 234.21 грн до 610.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+321.94 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay irfp22n50a.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+323.64 грн
25+321.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay Siliconix irfp22n50a.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+610.80 грн
25+351.07 грн
50+320.43 грн
100+276.53 грн
500+234.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF Vishay Semiconductors irfp22n50a.pdf MOSFETs TO247 500V 22A N-CH MOSFET
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF IRFP22N50APBF VISHAY irfp22n50a.pdf Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+321.94 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+323.64 грн
25+321.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 277W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.80 грн
25+351.07 грн
50+320.43 грн
100+276.53 грн
500+234.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 500V 22A N-CH MOSFET
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP22N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.23 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 277W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP22N50APBF irfp22n50a.pdf
IRFP22N50APBF Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.