IRFP22N60KPBF
Код товару: 35348
Виробник: IRКорпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 22 A
Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150
Монтаж: THT
у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 280.00 грн |
| 10+ | 259.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP22N60KPBF за ціною від 232.00 грн до 689.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP22N60KPBF Код товару: 190283
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 22 A Rds(on), Ohm: 0,24 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3570/150 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
|
|
||||||||||
|
IRFP22N60KPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3570 pF @ 25 V |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP22N60KPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP22N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.28 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP22N60KPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFP22N60KPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IRFP22N60KPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IRFP22N60KPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22A; Idm: 88A; 370W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 22A Power dissipation: 370W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 88A |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| Батарейка 2/3AA літієва 3,6V 1шт. Xeno Energy S11-0055-01-00 Код товару: 116593
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Xeno Energy
Батарейки
Матеріал: літієва (Li-SOCl2)
Розмір: 2/3AA / ER14335
Напруга, V: 3,6 V
Примітка: Ємність: 1650 мАгод; макс.струм: 40 мА; D=14,5мм, L=33,3мм
Форма: Циліндрична
Ємність, mAh: 1650 мАгод
Батарейки
Матеріал: літієва (Li-SOCl2)
Розмір: 2/3AA / ER14335
Напруга, V: 3,6 V
Примітка: Ємність: 1650 мАгод; макс.струм: 40 мА; D=14,5мм, L=33,3мм
Форма: Циліндрична
Ємність, mAh: 1650 мАгод
у наявності: 117 шт
116 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 152.00 грн |
| 10+ | 144.00 грн |
| 100+ | 135.00 грн |




