Продукція > SILICONIX > IRFP250

IRFP250 Siliconix

DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf Виробник: Siliconix
N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP250 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Аналог IRFP250 Siliconix

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP250 (IRFP250PBF) IRFP250 (IRFP250PBF)
Код товару: 7938
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST IRFP250.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
у наявності: 84 шт
41 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
37 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+72.00 грн
10+65.00 грн
100+58.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.

Інші пропозиції IRFP250 за ціною від 34.70 грн до 39.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP250 DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 Виробник : Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf N-MOSFET 30A 200V 190W 0.085Ω IRFP250 TIRFP250
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250
Код товару: 171437
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 33 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2850/117
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Виробник : Vishay 91212.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Виробник : Littelfuse 667viewer.aspxphttps3a2f2fixapps.ixys.fdatasheet2firfp250.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Виробник : IXYS DS_238_IRFP250.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2970 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Виробник : STMicroelectronics DS_497_IRFP250.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Виробник : Vishay / Siliconix DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Виробник : IXYS ixys_92602-1546833.pdf MOSFETs 30 Amps 200V 0.085 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Виробник : STMicroelectronics stmicroelectronics_cd00002160-1204847.pdf MOSFETs N-Ch 200 Volt 33 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250 IRFP250 Виробник : onsemi / Fairchild DS_238_IRFP250.pdf DS_497_IRFP250.pdf MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.