IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 209.67 грн |
| 5+ | 132.06 грн |
| 10+ | 110.89 грн |
| 25+ | 89.73 грн |
| 50+ | 78.73 грн |
| 100+ | 71.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Інші пропозиції IRFP250MPBF за ціною від 71.30 грн до 297.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
на замовлення 14765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP250MPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC |
на замовлення 3075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP250MPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 14765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.57 грн |
| 25+ | 116.29 грн |
| 50+ | 104.16 грн |
| 100+ | 88.15 грн |
| 500+ | 71.30 грн |
| IRFP250MPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 296.23 грн |
| 94+ | 151.13 грн |
| 127+ | 111.14 грн |
| 500+ | 97.26 грн |
| IRFP250MPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 297.53 грн |
| 10+ | 151.80 грн |
| 100+ | 111.63 грн |
| 500+ | 97.70 грн |
| IRFP250MPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)