IRFP250MPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 117+ | 110.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP250MPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFP250MPBF за ціною від 60.96 грн до 327.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP250MPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 160 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP250MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP250MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 30A 75mOhm 82nCAC |
на замовлення 3204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP250MPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP250MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP250MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
на замовлення 1753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP250MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFP250MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD Tube |
товару немає в наявності |