IRFP250NPBF
Код товару: 40169
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 30 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2159/123
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 75.00 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| 100+ | 62.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP250NPBF IR
- MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:0.075ohm
- Power Dissipation:214W
- Transistor Case Style:TO-247AC
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-247AC
- Cont Current Id:30A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.83`C/W
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation Pd:214W
- Pulse Current Idm:120A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:200V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Інші пропозиції IRFP250NPBF за ціною від 72.42 грн до 317.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
на замовлення 1587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 72633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 72633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP250NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFP250NPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFP250NPBF | Infineon |
Транзистори |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 240+ | 147.33 грн |
| 500+ | 133.18 грн |
| 1000+ | 122.58 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 180.66 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 221.04 грн |
| 25+ | 118.11 грн |
| 50+ | 105.78 грн |
| 100+ | 89.52 грн |
| 500+ | 72.42 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 277.69 грн |
| 10+ | 152.43 грн |
| 100+ | 114.37 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 277.69 грн |
| 93+ | 152.43 грн |
| 124+ | 114.37 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 72633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 298.55 грн |
| 93+ | 152.36 грн |
| 127+ | 111.93 грн |
| 800+ | 106.85 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 72633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 298.80 грн |
| 10+ | 152.49 грн |
| 100+ | 112.03 грн |
| 800+ | 106.94 грн |
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: INFINEON - IRFP250NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP250NPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори
Транзистори
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 317.83 грн |
З цим товаром купують
| BZV85-C15 Код товару: 23982
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 15 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8,9...13,6 мВ/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації Vz, В: 15 В
Струм стабілізації Izt, мА: 15 мА
Потужність Pd, Вт: 1 Вт
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8,9...13,6 мВ/K
у наявності: 356 шт
- 220 шт - склад
- 41 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 56 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 36 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 39 шт
- 39 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 14+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.20 грн |
| LM358P Код товару: 24924
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Напруга живлення Vc, В: 3...32/±1,5...16 В
Смуга пропускання BW, МГц: 0,7 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 7 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 0,3 В/µs
Температурний діапазон: 0...+70°С
Додаткові параметри: К-сть каналів: 2; Смуга, МГц: 0,7; dU/dt, В/мкс: 0,3; Ucm, мВ: 7; Nш, nV/√Hz: 40; Наявність R-to-R: -
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8-300
Напруга живлення Vc, В: 3...32/±1,5...16 В
Смуга пропускання BW, МГц: 0,7 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 7 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 0,3 В/µs
Температурний діапазон: 0...+70°С
Додаткові параметри: К-сть каналів: 2; Смуга, МГц: 0,7; dU/dt, В/мкс: 0,3; Ucm, мВ: 7; Nш, nV/√Hz: 40; Наявність R-to-R: -
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
у наявності: 551 шт
- 417 шт - склад
- 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.00 грн |
| 100+ | 5.40 грн |
| TIP35C (TO-247, ST) Код товару: 125172
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: ST
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 100 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 25 А
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-247
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 100 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В
Струм колектора Ic, А: 25 А
Монтаж: THT
у наявності: 17 шт
- 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 150 шт
- 150 шт - очікується 27.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 55.00 грн |
| 10+ | 49.50 грн |
| 4,7uF 50V EHR 5x11mm (EHR4R7M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1231
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 4,7 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: EHR
Тип: загального призначення з широким діапазоном температур 105°C
Темп. діапазон: -40...+105°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 7378 шт
- 7003 шт - склад
- 238 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 73 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 42 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 22 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 16 шт
- 16 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 17+ | 1.20 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 3300uF 63V ECR 22x41mm (ECR332M63B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3022
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3300 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 22x41 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 3300 мкФ
Номін. напруга: 63 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 22x41 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 67 шт
- 56 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 43.50 грн |
| 100+ | 39.90 грн |










