IRFP260MPBF
Код товару: 113423
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,04 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4057/234
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP260MPBF за ціною від 78.93 грн до 360.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 21200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 681 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3612 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRFP260MPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
на замовлення 23439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 129.00 грн |
| 1200+ | 114.67 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 129.00 грн |
| 1200+ | 114.67 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 21200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 144.97 грн |
| 500+ | 136.72 грн |
| 1000+ | 129.65 грн |
| 10000+ | 117.06 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 244+ | 144.97 грн |
| 500+ | 136.72 грн |
| 1000+ | 129.65 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 250.01 грн |
| 5+ | 176.60 грн |
| 10+ | 141.78 грн |
| 25+ | 103.64 грн |
| 50+ | 87.89 грн |
| 100+ | 81.25 грн |
| 125+ | 80.42 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 268.89 грн |
| 25+ | 145.90 грн |
| 100+ | 118.74 грн |
| 500+ | 91.01 грн |
| 1000+ | 84.45 грн |
| 2000+ | 78.93 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 328.07 грн |
| 10+ | 200.09 грн |
| 100+ | 162.65 грн |
| 400+ | 125.59 грн |
| 1200+ | 104.00 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 6275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 330.06 грн |
| 71+ | 201.30 грн |
| 100+ | 163.63 грн |
| 400+ | 126.35 грн |
| 1200+ | 104.63 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 357.78 грн |
| 10+ | 206.42 грн |
| 100+ | 165.20 грн |
| 400+ | 125.86 грн |
| 1200+ | 103.63 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 359.55 грн |
| 69+ | 207.44 грн |
| 100+ | 166.01 грн |
| 400+ | 126.48 грн |
| 1200+ | 104.15 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 360.38 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 360.38 грн |
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP260MPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
на замовлення 23439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







