IRFP260MPBF Infineon Technologies
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP260MPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFP260MPBF за ціною від 69.93 грн до 206.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 6732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC |
на замовлення 4227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP260MPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm |
на замовлення 3156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 123 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
IRFP260MPBF Код товару: 113423 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,04 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFP260MPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товар відсутній |