IRFP264PBF (TO-247AC, IR)
Код товару: 51613
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRFP264PBF (TO-247AC, IR) IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Код товару: 156295
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 38 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210 Монтаж: THT |
у наявності: 139 шт
|
|
| IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Код товару: 156295
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210
Монтаж: THT
у наявності: 139 шт
- 111 шт - склад
- 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 120.00 грн |
Інші пропозиції IRFP264PBF (TO-247AC, IR) за ціною від 207.52 грн до 800.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP264PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Power dissipation: 280W Gate charge: 0.21µC Polarisation: unipolar Drain current: 24A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO247AC |
на замовлення 278 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET |
на замовлення 2533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 280W
Gate charge: 0.21µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 280W
Gate charge: 0.21µC
Polarisation: unipolar
Drain current: 24A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 480.31 грн |
| 10+ | 310.45 грн |
| 25+ | 276.14 грн |
| 100+ | 231.79 грн |
| 125+ | 225.09 грн |
| 250+ | 207.52 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 605.32 грн |
| 25+ | 348.60 грн |
| 100+ | 292.73 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 800.81 грн |
| 26+ | 555.82 грн |
| 29+ | 495.24 грн |
| 100+ | 401.35 грн |
| 125+ | 361.03 грн |
| 250+ | 319.50 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRFP264NPBF Код товару: 197506
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 44 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3860/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 44 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3860/210
Монтаж: THT
на замовлення: 4 шт
- 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 80.00 грн |
| 10+ | 74.00 грн |
| Змивка для друкованих плат 90мл (ізопропіловий спирт) Код товару: 170724
10
Додати до обраних
Обраний товар
|
Хімія > Засоби очищення
Опис: Змивка для друкованих плат, відповідно до ГОСТу, 2-х компонентний склад на основі абсолютованого ізопропілового спирту (вміст води та інших домішок у ньому не перевищує 0,5%.) та очисника універсального. При обробці плати, після паяння радіокомпонентів цим складом, спирт змиває залишки флюсу (каніфолі), а очищувач - залишки продуктів горіння, що утворюються після паяння. Змивка для друкованих плат ідеальний засіб для промивання плат, на які потрапила вода, зокрема плат мобільних телефонів - "утопленників". Для того, щоб промити плату, достатньо потерти її з двох сторін зубною щіткою, змоченою в змивці.
Призначення: Змиває залишки флюсу
Упаковка: 90мл
Тип: Засоби очищення
Опис: Змивка для друкованих плат, відповідно до ГОСТу, 2-х компонентний склад на основі абсолютованого ізопропілового спирту (вміст води та інших домішок у ньому не перевищує 0,5%.) та очисника універсального. При обробці плати, після паяння радіокомпонентів цим складом, спирт змиває залишки флюсу (каніфолі), а очищувач - залишки продуктів горіння, що утворюються після паяння. Змивка для друкованих плат ідеальний засіб для промивання плат, на які потрапила вода, зокрема плат мобільних телефонів - "утопленників". Для того, щоб промити плату, достатньо потерти її з двох сторін зубною щіткою, змоченою в змивці.
Призначення: Змиває залишки флюсу
Упаковка: 90мл
Тип: Засоби очищення
у наявності: 75 шт
- 54 шт - склад
- 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 4 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 70.00 грн |
| NE5532DR Код товару: 27082
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Напруга живлення Vc, В: ±15 В
Смуга пропускання BW, МГц: 10 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 0,5 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 9 В/µs
Температурний діапазон: -40...+85°С
Додаткові параметри: К-сть каналів: 2
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Напруга живлення Vc, В: ±15 В
Смуга пропускання BW, МГц: 10 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 0,5 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 9 В/µs
Температурний діапазон: -40...+85°С
Додаткові параметри: К-сть каналів: 2
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 191 шт
- 105 шт - склад
- 50 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 27 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.50 грн |
| 10+ | 7.50 грн |
| 100+ | 6.90 грн |










