IRFP264PBF (TO-247AC, IR)
Код товару: 51613
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Аналог IRFP264PBF (TO-247AC, IR) IR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Код товару: 156295
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247AC Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 38 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210 Монтаж: THT |
у наявності: 139 шт
|
|
| IRFP264PBF (TO-247AC, Siliconix) Код товару: 156295
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 38 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,075 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5400/210
Монтаж: THT
у наявності: 139 шт
- 111 шт - склад
- 28 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 120.00 грн |
Інші пропозиції IRFP264PBF (TO-247AC, IR) за ціною від 212.40 грн до 835.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 2596 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 2598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 24A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V |
на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP264PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET |
на замовлення 4519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFP264PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 280W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 471.97 грн |
| 31+ | 467.31 грн |
| 100+ | 399.33 грн |
| 500+ | 335.72 грн |
| 1000+ | 310.27 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 2598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 473.82 грн |
| 25+ | 469.15 грн |
| 100+ | 400.90 грн |
| 500+ | 337.03 грн |
| 1000+ | 311.49 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 24A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 24A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.21µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 491.61 грн |
| 10+ | 317.75 грн |
| 25+ | 282.64 грн |
| 100+ | 237.24 грн |
| 125+ | 230.39 грн |
| 250+ | 212.40 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 632.37 грн |
| 25+ | 364.17 грн |
| 50+ | 332.47 грн |
| 100+ | 286.99 грн |
| 500+ | 243.20 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 835.68 грн |
| 21+ | 686.35 грн |
| 29+ | 498.16 грн |
| 100+ | 377.85 грн |
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 250V 38A N-CH MOSFET
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFP264PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: VISHAY - IRFP264PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 38 A, 0.075 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 280W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| IRFP264NPBF Код товару: 197506
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 44 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3860/210
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247AC
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 44 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3860/210
Монтаж: THT
на замовлення: 4 шт
- 4 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 80.00 грн |
| 10+ | 74.00 грн |
| Змивка для друкованих плат 90мл (ізопропіловий спирт) Код товару: 170724
11
Додати до обраних
Обраний товар
|
Хімія > Засоби очищення
Опис: Змивка для друкованих плат, відповідно до ГОСТу, 2-х компонентний склад на основі абсолютованого ізопропілового спирту (вміст води та інших домішок у ньому не перевищує 0,5%.) та очисника універсального. При обробці плати, після паяння радіокомпонентів цим складом, спирт змиває залишки флюсу (каніфолі), а очищувач - залишки продуктів горіння, що утворюються після паяння. Змивка для друкованих плат ідеальний засіб для промивання плат, на які потрапила вода, зокрема плат мобільних телефонів - "утопленників". Для того, щоб промити плату, достатньо потерти її з двох сторін зубною щіткою, змоченою в змивці.
Призначення: Змиває залишки флюсу
Упаковка: 90мл
Тип: Засоби очищення
Опис: Змивка для друкованих плат, відповідно до ГОСТу, 2-х компонентний склад на основі абсолютованого ізопропілового спирту (вміст води та інших домішок у ньому не перевищує 0,5%.) та очисника універсального. При обробці плати, після паяння радіокомпонентів цим складом, спирт змиває залишки флюсу (каніфолі), а очищувач - залишки продуктів горіння, що утворюються після паяння. Змивка для друкованих плат ідеальний засіб для промивання плат, на які потрапила вода, зокрема плат мобільних телефонів - "утопленників". Для того, щоб промити плату, достатньо потерти її з двох сторін зубною щіткою, змоченою в змивці.
Призначення: Змиває залишки флюсу
Упаковка: 90мл
Тип: Засоби очищення
у наявності: 52 шт
- 47 шт - склад
- 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 70.00 грн |
| NE5532DR Код товару: 27082
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Напруга живлення Vc, В: ±15 В
Смуга пропускання BW, МГц: 10 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 0,5 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 9 В/µs
Температурний діапазон: -40...+85°С
Додаткові параметри: К-сть каналів: 2
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: SOIC-8
Напруга живлення Vc, В: ±15 В
Смуга пропускання BW, МГц: 10 МГц
Напруга зміщення Vio, мВ: 0,5 мВ
Швидкість наростання, В/µs: 9 В/µs
Температурний діапазон: -40...+85°С
Додаткові параметри: К-сть каналів: 2
К-сть каналів: 2
Монтаж: SMD
у наявності: 157 шт
- 96 шт - склад
- 45 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 14 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 8.50 грн |
| 10+ | 7.50 грн |
| 100+ | 6.90 грн |










