IRFP3006PBFXKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IRFP3006-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628c4881fec
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+380.26 грн
10+242.66 грн
50+189.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP3006PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm.

Інші пропозиції IRFP3006PBFXKMA1 за ціною від 445.72 грн до 445.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP3006PBFXKMA1 IRFP3006PBFXKMA1 Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+445.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1 IRFP3006PBFXKMA1 Infineon Technologies irfr2405pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+445.72 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfp3006-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFP3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1 irfr2405pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+445.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1 irfr2405pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+445.72 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBFXKMA1 infineon-irfp3006-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.