Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP3077PBFXKMA1
IRFP3077PBFXKMA1

IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 200A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 200A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+173.67 грн
10+153.73 грн
25+142.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 340W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.

Інші пропозиції IRFP3077PBFXKMA1 за ціною від 222.76 грн до 497.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 Infineon Technologies irfp3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+224.82 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 Infineon Technologies irfp3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+224.82 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 Infineon Technologies irfp3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+400.03 грн
25+330.50 грн
100+233.59 грн
500+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 Infineon Technologies irfp3077pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+401.03 грн
43+331.34 грн
100+234.18 грн
500+223.32 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 IRFP3077PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.05 грн
25+278.78 грн
100+231.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfp3077-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFP3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 200 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+224.82 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+224.82 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+400.03 грн
25+330.50 грн
100+233.59 грн
500+222.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 irfp3077pbf.pdf
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+401.03 грн
43+331.34 грн
100+234.18 грн
500+223.32 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 Infineon-IRFP3077-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a401535628cd701fee
IRFP3077PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 90A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+497.05 грн
25+278.78 грн
100+231.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3077PBFXKMA1 infineon-irfp3077-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 200 A, 0.0033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.