Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP3206PBF
IRFP3206PBF

IRFP3206PBF Infineon Technologies

infineonirfp3206datasheeten.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+176.90 грн
100+171.78 грн
400+160.71 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP3206PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFP3206PBF за ціною від 102.81 грн до 338.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP3206PBF IRFP3206PBF Infineon Technologies infineonirfp3206datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.83 грн
10+176.01 грн
100+170.93 грн
400+159.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+271.44 грн
10+161.68 грн
25+124.37 грн
50+106.96 грн
100+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF Infineon Technologies infineonirfp3206datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+338.85 грн
44+324.29 грн
50+311.94 грн
100+290.59 грн
250+260.91 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON INFN-S-A0012838483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF infineonirfp3206datasheeten.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+177.83 грн
10+176.01 грн
100+170.93 грн
400+159.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF irfp3206pbf.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.44 грн
10+161.68 грн
25+124.37 грн
50+106.96 грн
100+102.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF infineonirfp3206datasheeten.pdf
IRFP3206PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+338.85 грн
44+324.29 грн
50+311.94 грн
100+290.59 грн
250+260.91 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF INFN-S-A0012838483-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.