IRFP3206PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 88+ | 161.71 грн |
| 89+ | 160.07 грн |
| 100+ | 158.52 грн |
| 400+ | 151.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP3206PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP3206PBF за ціною від 104.97 грн до 338.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP3206PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Mounting: THT Technology: HEXFET® Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247AC Polarisation: unipolar Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W |
на замовлення 423 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP3206PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFP3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFP3206PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.13 грн |
| 10+ | 165.07 грн |
| 25+ | 126.98 грн |
| 50+ | 109.20 грн |
| 100+ | 104.97 грн |
| IRFP3206PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 2400 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 337.21 грн |
| 10+ | 191.17 грн |
| 100+ | 149.32 грн |
| IRFP3206PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 338.10 грн |
| 44+ | 323.57 грн |
| 50+ | 311.24 грн |
| 100+ | 289.94 грн |
| 250+ | 260.32 грн |