Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP3306PBFXKMA1

IRFP3306PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineon-irfp3306-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+365.86 грн
10+194.23 грн
100+128.78 грн
400+120.83 грн
800+111.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP3306PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 220W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm.

Інші пропозиції IRFP3306PBFXKMA1 за ціною від 112.12 грн до 402.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP3306PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp3306-datasheet-v02_01-en.pdf 60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+368.08 грн
73+195.41 грн
110+129.55 грн
400+121.55 грн
800+112.12 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp3306-datasheet-v02_01-en.pdf 60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+402.96 грн
10+199.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon_irfp3306_datasheet_en.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1 INFINEON infineon-irfp3306-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRFP3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1 infineon-irfp3306-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+368.08 грн
73+195.41 грн
110+129.55 грн
400+121.55 грн
800+112.12 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1 infineon-irfp3306-datasheet-v02_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
60V Single N-Channel StrongIRFET Power MOSFET
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+402.96 грн
10+199.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1 infineon_irfp3306_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3306PBFXKMA1 infineon-irfp3306-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3306PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 160 A, 0.0042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.