
IRFP3415PBF Infineon Technologies
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP3415PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFP3415PBF за ціною від 104.22 грн до 257.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 133.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 133.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFP3415PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |