IRFP3415PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 177.97 грн |
| 500+ | 168.54 грн |
| 1000+ | 159.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP3415PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IRFP3415PBF за ціною від 132.66 грн до 359.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFP3415PBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRFP3415PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 133.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFP3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFP3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRFP3415PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IRFP3415PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRFP3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRFP3415PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 385 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFP3415PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 385+ | 181.51 грн |
| IRFP3415PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 185.72 грн |
| 10+ | 140.95 грн |
| 25+ | 132.66 грн |
| IRFP3415PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 356.89 грн |
| 10+ | 251.38 грн |
| 100+ | 197.32 грн |
| IRFP3415PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 359.05 грн |
| 56+ | 252.90 грн |
| 100+ | 198.51 грн |
| IRFP3415PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFP3415PBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP3415PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP3415PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)