IRFP3703PBF
Код товару: 41216
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247
Uds,V: 30 V
Idd,A: 210 A
Rds(on), Ohm: 0,0028 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP3703PBF за ціною від 130.91 грн до 450.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP3703PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP3703PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 209nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFP3703PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |