IRFP3703PBF
Код товару: 41216
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 30 В
Струм стоку Idd, А: 210 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0028 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8250/209
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP3703PBF за ціною від 129.67 грн до 625.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP3703PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP3703PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP3703PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP3703PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP3703PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP3703PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 230W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 209nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP3703PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP3703PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP3703PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFP3703PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC |
на замовлення 2137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 63+ | 226.30 грн |
| 64+ | 224.05 грн |
| 100+ | 192.78 грн |
| 500+ | 184.04 грн |
| 1000+ | 168.96 грн |
| 2000+ | 159.09 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 226.71 грн |
| 25+ | 224.46 грн |
| 100+ | 193.12 грн |
| 500+ | 184.37 грн |
| 1000+ | 169.28 грн |
| 2000+ | 159.38 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 289.26 грн |
| 25+ | 286.38 грн |
| 100+ | 228.89 грн |
| 500+ | 218.50 грн |
| 1000+ | 199.14 грн |
| 2000+ | 185.99 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 290.71 грн |
| 50+ | 287.81 грн |
| 100+ | 230.04 грн |
| 500+ | 219.59 грн |
| 1000+ | 200.14 грн |
| 2000+ | 186.93 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 210A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.98 грн |
| 25+ | 203.63 грн |
| 100+ | 168.37 грн |
| 500+ | 131.53 грн |
| 1000+ | 129.67 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 446.45 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 625.77 грн |
| 25+ | 363.01 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 625.77 грн |
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFP3703PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP3703PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
на замовлення 2137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)







