IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.62 грн |
| 10+ | 158.02 грн |
| 25+ | 137.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFP4110PBFXKMA1 за ціною від 96.15 грн до 374.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
на замовлення 4245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
N-Channel MOSFET |
товару немає в наявності |