Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4110PBFXKMA1
IRFP4110PBFXKMA1

IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.96 грн
9+113.06 грн
23+107.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 370W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm.

Інші пропозиції IRFP4110PBFXKMA1 за ціною від 154.59 грн до 429.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+429.63 грн
25+239.49 грн
50+216.94 грн
100+185.78 грн
500+154.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON 3743176.pdf Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+252.72 грн
500+239.67 грн
1000+225.44 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+353.87 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.49 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf N-Channel MOSFET
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+386.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+429.63 грн
25+239.49 грн
50+216.94 грн
100+185.78 грн
500+154.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon_IRFP4110_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 3743176.pdf
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3700 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+252.72 грн
500+239.67 грн
1000+225.44 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+353.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+353.87 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 4108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
38+378.49 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 infineonirfp4110datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
N-Channel MOSFET
на замовлення 4110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+386.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.