IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 56800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 122.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4110PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP4110PBFXKMA1 за ціною від 85.55 грн до 321.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 50 V |
на замовлення 437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4110PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0037 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005732688 |
на замовлення 3859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
|
IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IRFP4110PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |