
IRFP4127PBF Infineon Technologies
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1150+ | 76.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4127PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP4127PBF за ціною від 82.73 грн до 386.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 21083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 341W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 7613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFP4127PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP4127PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 341W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |