IRFP4227PBFXKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 357.70 грн |
| 10+ | 236.82 грн |
| 100+ | 161.99 грн |
| 500+ | 135.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4227PBFXKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4227PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFP4227PBFXKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=200V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP4227PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Description: TRENCH >=200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFP4227PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.