IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 123.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP4229PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.046 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP4229PBF за ціною від 121.00 грн до 336.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4229PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 44A Power dissipation: 310W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 46mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 22559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4229PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4229PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 300 V, 44 A, 0.046 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 250V 44A 46mOhm 72nC Qg |
на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4229PBF Код товару: 55867
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Uds,V: 250 V Idd,A: 44 A Rds(on), Ohm: 0,38 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4560/72 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||
|
|
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| IRFP4229PBF | Виробник : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4229PBF |
IRFP4229PBF Транзисторы MOS FET Power |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFP4229PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |