на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 277.54 грн |
| 10+ | 197.54 грн |
| 25+ | 152.77 грн |
| 100+ | 133.01 грн |
| 250+ | 121.61 грн |
| 400+ | 115.53 грн |
| 1200+ | 114.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4229PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFP4229PBFXKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFP4229PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IRFP4229PBFXKMA1 |
товару немає в наявності |
||
| IRFP4229PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4229PBFXKMA1 |
товару немає в наявності |
||
 |
IRFP4229PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |