Продукція > INFINEON > IRFP4310ZPBFXKMA1
IRFP4310ZPBFXKMA1

IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON


Infineon-IRFP4310Z-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c469e200f Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 134 A, 0.006 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 152 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.77 грн
10+134.92 грн
100+102.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFP4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 134 A, 0.006 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFP4310ZPBFXKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP4310ZPBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 IRFP4310ZPBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP4310Z-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.