Продукція > INFINEON > IRFP4310ZPBFXKMA1

IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON


Infineon-IRFP4310Z-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c469e200f
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 134 A, 6000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 134A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4310ZPBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFP4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 134 A, 6000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 134A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFP4310ZPBFXKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4310ZPBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4310Z-DataSheet-v02_01-EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBFXKMA1 Infineon-IRFP4310Z-DataSheet-v02_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.