IRFP4332PBF Infineon Technologies
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 144.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4332PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 57 A, 0.029 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120mW, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP4332PBF за ціною від 153.17 грн до 418.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 31174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4332PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 57 A, 0.029 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 120mW Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4332PBF Код товару: 52727
Додати до обраних
Обраний товар
|
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
IRFP4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFP4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFP4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFP4332PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 250V 57A 33mOhm 99nC Qg |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFP4332PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 57A Power dissipation: 360W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |