IRFP4332PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 250V; 57A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 199.60 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
400 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4332PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 360W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.
Інші пропозиції IRFP4332PBFXKMA1 за ціною від 262.05 грн до 510.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100VPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 7600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRFP4332PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 360W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP4332PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 510.26 грн |
| 25+ | 288.30 грн |
| 50+ | 262.05 грн |
| IRFP4332PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 300.26 грн |
| IRFP4332PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 48+ | 300.26 грн |
| IRFP4332PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH 250V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 319.41 грн |
| 500+ | 302.91 грн |
| 1000+ | 285.23 грн |
| IRFP4332PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFP4332PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
Description: INFINEON - IRFP4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 57 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



