IRFP4368PBF

IRFP4368PBF Infineon Technologies


infineon-irfp4368-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+404.63 грн
30+ 387.25 грн
50+ 372.5 грн
100+ 347 грн
Мінімальне замовлення: 29
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4368PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFP4368PBF за ціною від 261.86 грн до 589 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4368-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+548.27 грн
24+ 494.8 грн
50+ 429.67 грн
100+ 400.27 грн
200+ 355.86 грн
800+ 315.8 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP4368_DataSheet_v01_01_EN-3363280.pdf MOSFET MOSFT 75V 350A 1.85mOhm 380nC Qg
на замовлення 8550 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+564.08 грн
10+ 512.02 грн
25+ 386.53 грн
100+ 345.63 грн
400+ 274.4 грн
1200+ 261.86 грн
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Виробник : INFINEON 3732470.pdf Description: INFINEON - IRFP4368PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00146 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00146ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+589 грн
5+ 511.3 грн
10+ 433.61 грн
50+ 394.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4368PBF IRFP4368PBF
Код товару: 34958
Виробник : IR irfp4368pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 75 V
Idd,A: 350 A
Rds(on), Ohm: 0,00146 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 19230/570
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4368-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4368-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товар відсутній
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4368pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4368pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFP4368PBF IRFP4368PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4368pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній