IRFP4368PBFXKMA1

IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies


infineon-irfp4368-datasheet-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+195.41 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00185 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFP4368PBFXKMA1 за ціною від 173.41 грн до 584.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4368-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+210.44 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4368-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.60 грн
10+397.03 грн
25+209.38 грн
50+200.14 грн
100+183.52 грн
250+173.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : INFINEON 3732470.pdf Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 0.00185 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00185ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+445.17 грн
10+389.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4368-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+454.90 грн
30+417.29 грн
56+211.19 грн
100+193.57 грн
250+182.72 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4368-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+462.94 грн
29+425.85 грн
55+214.67 грн
100+196.84 грн
250+186.00 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 380nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
On-state resistance: 1.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 520W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 380nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO247AC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+584.41 грн
4+326.31 грн
10+297.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4368-datasheet-v01_01-en.pdf N-Channel Power MOSFET
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP4368_DataSheet_v01_01_EN-3363280.pdf MOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.