IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 140+ | 200.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFP4368PBFXKMA1 за ціною від 203.15 грн до 605.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4368PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 350A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 380nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP4368PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3156 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP4368PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP4368PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V |
на замовлення 722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP4368PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFP4368PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFP4368PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |