Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4368PBFXKMA1
IRFP4368PBFXKMA1

IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
400+319.36 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFP4368PBFXKMA1 за ціною від 201.43 грн до 643.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+319.36 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+333.27 грн
100+305.41 грн
500+274.15 грн
1000+249.57 грн
2000+238.00 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.50 грн
25+334.12 грн
100+306.19 грн
500+274.85 грн
1000+250.21 грн
2000+238.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+522.62 грн
10+328.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.39 грн
25+321.18 грн
100+268.87 грн
500+213.06 грн
1000+201.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON 3732470.pdf Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+592.88 грн
10+352.77 грн
100+296.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4368_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+643.04 грн
10+403.65 грн
100+279.11 грн
400+245.28 грн
1200+229.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
400+319.36 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
43+333.27 грн
100+305.41 грн
500+274.15 грн
1000+249.57 грн
2000+238.00 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+337.50 грн
25+334.12 грн
100+306.19 грн
500+274.85 грн
1000+250.21 грн
2000+238.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+522.62 грн
10+328.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+561.39 грн
25+321.18 грн
100+268.87 грн
500+213.06 грн
1000+201.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 3732470.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+592.88 грн
10+352.77 грн
100+296.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon_IRFP4368_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+643.04 грн
10+403.65 грн
100+279.11 грн
400+245.28 грн
1200+229.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.