Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4368PBFXKMA1
IRFP4368PBFXKMA1

IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies

infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+282.74 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm.

Інші пропозиції IRFP4368PBFXKMA1 за ціною від 196.06 грн до 522.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+282.74 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+315.54 грн
25+312.42 грн
100+287.98 грн
500+252.15 грн
1000+224.83 грн
2000+214.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+315.72 грн
46+312.60 грн
100+288.14 грн
500+252.30 грн
1000+224.95 грн
2000+215.03 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+511.88 грн
10+321.58 грн
25+294.99 грн
50+275.05 грн
100+255.11 грн
125+254.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.67 грн
25+297.44 грн
100+248.26 грн
500+196.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4368_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON 3732470.pdf Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+282.74 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+315.54 грн
25+312.42 грн
100+287.98 грн
500+252.15 грн
1000+224.83 грн
2000+214.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 infineonirfp4368datasheetv0101en.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 350A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+315.72 грн
46+312.60 грн
100+288.14 грн
500+252.30 грн
1000+224.95 грн
2000+215.03 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+511.88 грн
10+321.58 грн
25+294.99 грн
50+275.05 грн
100+255.11 грн
125+254.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 570 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19230 pF @ 50 V
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+522.67 грн
25+297.44 грн
100+248.26 грн
500+196.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon_IRFP4368_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 3732470.pdf
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4368PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 350 A, 1850 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1850µohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.