
IRFP4468PBF
у наявності 32 шт:
16 шт - склад
3 шт - РАДІОМАГ-Київ
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 275.00 грн |
10+ | 231.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP4468PBF за ціною від 210.30 грн до 707.10 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Mounting: THT Case: TO247AC Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Mounting: THT Case: TO247AC Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A On-state resistance: 2.6mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 395 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
SMICA-SOT93 Прокладка силіконова 20х24мм для SO-T93/TO-3P Код товару: 26111
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NINIGI
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка силіконова для SOT93/TOP-3, 0 .4К/Вт, 10кВ/мм
Розмір: 24х20х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка силіконова для SOT93/TOP-3, 0 .4К/Вт, 10кВ/мм
Розмір: 24х20х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 2285 шт
2029 шт - склад
73 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Одеса
84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
73 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Одеса
84 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 9.00 грн |
10+ | 7.70 грн |
100+ | 6.60 грн |
TL431BIDBZR Код товару: 37676
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність - 1%
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність - 1%
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 515 шт
425 шт - склад
56 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
56 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 11.00 грн |
10+ | 9.90 грн |
100+ | 8.80 грн |
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3112
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 7183 шт
6710 шт - склад
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
138 шт - РАДІОМАГ-Львів
234 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
56 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
27 шт - РАДІОМАГ-Київ
138 шт - РАДІОМАГ-Львів
234 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Одеса
56 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
100 шт
100 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 2.00 грн |
10+ | 1.20 грн |
100+ | 0.90 грн |
1000+ | 0.60 грн |
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2453
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х36mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х36mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується:
1000 шт
1000 шт - очікується 15.07.2025
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 28.00 грн |
10+ | 25.20 грн |
100+ | 22.50 грн |
1N5408 Код товару: 2135
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 8291 шт
7746 шт - склад
177 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
164 шт - РАДІОМАГ-Харків
74 шт - РАДІОМАГ-Одеса
59 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
177 шт - РАДІОМАГ-Київ
71 шт - РАДІОМАГ-Львів
164 шт - РАДІОМАГ-Харків
74 шт - РАДІОМАГ-Одеса
59 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 3.00 грн |
10+ | 2.10 грн |
100+ | 1.90 грн |
1000+ | 1.80 грн |