IRFP4468PBF
Код товару: 36929
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 275.00 грн |
| 10+ | 231.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP4468PBF за ціною від 185.39 грн до 434.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP4468PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 2.6mΩ Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 360nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 520W |
на замовлення 86 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFP4468PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 364.65 грн |
| 10+ | 248.87 грн |
| 25+ | 209.09 грн |
| 50+ | 185.39 грн |
| IRFP4468PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 434.85 грн |
| 10+ | 327.37 грн |
| 100+ | 219.88 грн |
З цим товаром купують
| ACS756SCA-100B-PFF-T Код товару: 22264
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Allegro
Активні компоненти > Датчики
Корпус: 5-CA
Опис: Датчик для виміру постійного та змінного струму до 100А, чутливість 20 мВ / A, точність ± 7%
Вихід/інтерфейс: Аналоговий
Живлення, V: 3...5,5 V
Температура, °C: -20...+85 °C
Тип датчика: Датчик струму
Тип монтажа: THT
Активні компоненти > Датчики
Корпус: 5-CA
Опис: Датчик для виміру постійного та змінного струму до 100А, чутливість 20 мВ / A, точність ± 7%
Вихід/інтерфейс: Аналоговий
Живлення, V: 3...5,5 V
Температура, °C: -20...+85 °C
Тип датчика: Датчик струму
Тип монтажа: THT
у наявності: 10 шт
10 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 490.00 грн |
| 10+ | 465.00 грн |
| 2SC4672 Код товару: 28699
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Rohm
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-89
fT: 210 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 2 А
h21: 270
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-89
fT: 210 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 2 А
h21: 270
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 8.00 грн |
| 0 Ohm 5% 3/4W 200V 2010 (RC2010JK-0R-Hitano) Код товару: 51174
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2010
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,75 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 2010
SMD резистори > 2010
Номінал: 0 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,75 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 2010
у наявності: 1350 шт
820 шт - склад
230 шт - РАДІОМАГ-Київ
300 шт - РАДІОМАГ-Львів
230 шт - РАДІОМАГ-Київ
300 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.85 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 100nF 100V X7R 10% 1206 (CC1206KKX7R0BB104-Yageo) Код товару: 105040
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 100 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 100 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 2306 шт
2257 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
25 шт - РАДІОМАГ-Київ
24 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
9500 шт
500 шт - очікується
9000 шт - очікується 20.06.2026
9000 шт - очікується 20.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 2.50 грн |
| 12+ | 1.70 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| 10000+ | 0.60 грн |
| VS-80CPQ150PBF Код товару: 196243
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-247AC
Зворотня напруга, Vrrm: 150 V
Прямий струм (per leg), If: 40 A
Падіння напруги, Vf: 0,71 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 40 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 500 A
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
Корпус: TO-247AC
Зворотня напруга, Vrrm: 150 V
Прямий струм (per leg), If: 40 A
Падіння напруги, Vf: 0,71 V
Примітка: Конструкція: два діоди в одному корпусі, загальний катод, струм 40 А на діод.
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 500 A
у наявності: 36 шт
16 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 240.00 грн |
| 10+ | 226.00 грн |









