IRFP4468PBF
у наявності 31 шт:
24 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 4 шт:
4 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 275 грн |
10+ | 231 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP4468PBF за ціною від 199.33 грн до 714.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 290A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 2822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg |
на замовлення 1627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 360nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP4468PBF | Виробник : IR | Транз. Пол. БМ N-MOSFET TO247 Udss=100V; Id=195A; Rds=0,0026 Ohm; RoHS |
на замовлення 19 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
З цим товаром купують
TL431BIDBZR Код товару: 37676 |
Виробник: NXP
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність - 1%
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність - 1%
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 475 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11 грн |
10+ | 9.9 грн |
100+ | 8.8 грн |
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3112 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 11831 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.2 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.6 грн |
IRF630 (TO-220, ST) Код товару: 3058 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 9 А
Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 600/19
Монтаж: THT
товар відсутній
1N5408 Код товару: 2135 |
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: ВипрямнийVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 11382 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.9 грн |
1000+ | 1.8 грн |