Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFP4468PBF
IRFP4468PBF

IRFP4468PBF

irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019
Код товару: 36929
Виробник: IR
Корпус: TO-247AC
Uds,V: 100 V
Idd,A: 195 A
Rds(on), Ohm: 2,6 mOhm
Монтаж: THT
у наявності 29 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+275.00 грн
10+231.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFP4468PBF за ціною від 146.74 грн до 677.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4468-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 290A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+262.20 грн
50+259.06 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+308.95 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies irfp4468pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c73472019 Description: MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+404.92 грн
25+226.52 грн
100+187.56 грн
500+146.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+418.97 грн
48+263.22 грн
100+213.82 грн
400+166.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+453.10 грн
10+448.48 грн
25+281.77 грн
100+228.89 грн
400+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.18 грн
25+202.54 грн
100+186.59 грн
125+184.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : INFINEON 3732309.pdf Description: INFINEON - IRFP4468PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 290 A, 2600 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 290A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+607.97 грн
10+583.93 грн
100+432.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.02 грн
25+252.39 грн
100+223.91 грн
125+221.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfp4468datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP4468_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

SMICA-SOT93 Прокладка силіконова 20х24мм для SO-T93/TO-3P
Код товару: 26111
Додати до обраних Обраний товар

smicato220_.pdf
SMICA-SOT93 Прокладка силіконова 20х24мм для SO-T93/TO-3P
Виробник: NINIGI
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка силіконова для SOT93/TOP-3, 0 .4К/Вт, 10кВ/мм
Розмір: 24х20х0,3мм
Матеріал: Силікон
Колір: білий
у наявності: 1169 шт
1077 шт - склад
90 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна
5+9.00 грн
10+7.70 грн
100+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TL431BIDBZR
Код товару: 37676
Додати до обраних Обраний товар

TL431_FAM.pdf
TL431BIDBZR
Виробник: NXP
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: SOT-23
Короткий опис: Програмоване джерело опорної напруги від 2,5V до 36V, точність - 1%
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: SMD
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 390 шт
233 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
4+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3112
Додати до обраних Обраний товар

ECR_081225.pdf
2,2uF 50V ECR 5x11mm (ECR2R2M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2,2 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 5441 шт
5261 шт - склад
112 шт - РАДІОМАГ-Київ
30 шт - РАДІОМАГ-Львів
27 шт - РАДІОМАГ-Харків
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
20+2.00 грн
34+1.20 грн
100+0.90 грн
1000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2453
Додати до обраних Обраний товар

EXR_080421.pdf
2200uF 50V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR222M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
+1
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 2200 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 18х36mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується 25.01.2026
Кількість Ціна
2+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1N5408
Код товару: 2135
Додати до обраних Обраний товар

1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Виробник: YJ/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-201
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 3 A
Опис: Випрямний VR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Може замінити: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
у наявності: 6585 шт
5672 шт - склад
13 шт - РАДІОМАГ-Київ
139 шт - РАДІОМАГ-Львів
34 шт - РАДІОМАГ-Харків
727 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100 шт
100 шт - очікується
Кількість Ціна
14+3.00 грн
20+2.10 грн
100+1.90 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.