IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 264.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4468PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP4468PBFXKMA1 за ціною від 162.93 грн до 427.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4468PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 290A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19860 pF @ 50 V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4468PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4468PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005732695 |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IRFP4468PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4468PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 195 A, 0.002 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFP4468PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 195A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IRFP4468PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 290A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |