IRFP4568PBF Infineon Technologies
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4568PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4568PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 517W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP4568PBF за ціною від 231.26 грн до 510.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4568PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.9mΩ Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 517W |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFP4568PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 171A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 5.9mΩ Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 151nC Technology: HEXFET® Power dissipation: 517W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP4568PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4568PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 171 A, 5900 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP4568PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 4801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFP4568PBF Код товару: 40672
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247AC |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||
|
|
IRFP4568PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRFP4568PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFP4568PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 171A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 103A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10470 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFP4568PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 171 5.9mOhm 151nC Qg |
товару немає в наявності |