
IRFP4668PBF

Код товару: 32680
Виробник: IRUds,V: 200 V
Idd,A: 130 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10720/161
Монтаж: THT
у наявності 132 шт:
91 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 295.00 грн |
10+ | 279.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP4668PBF за ціною від 129.15 грн до 474.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Power dissipation: 520W Gate charge: 161nC Technology: HEXFET® |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Power dissipation: 520W Gate charge: 161nC Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V |
на замовлення 6992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFP4668PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
300pF 50V X7R 10% 0805 4k/reel (C0805B301K500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 2207
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 300 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 300 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 1430 шт
980 шт - склад
120 шт - РАДІОМАГ-Київ
330 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
120 шт - РАДІОМАГ-Київ
330 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 0.70 грн |
100+ | 0.50 грн |
1000+ | 0.40 грн |
TLP250[F] Код товару: 28540
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Toshiba
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 20/1500 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 20/1500 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -20…+85°C
у наявності: 231 шт
184 шт - склад
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
28 шт - РАДІОМАГ-Київ
19 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 66.00 грн |
10+ | 61.50 грн |
100+ | 56.80 грн |
10uF 35V size-C 10% (TAJC106K035RNJ-AVX) Код товару: 121704
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: AVX
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 35 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-C
Конденсатори > Танталові SMD конденсатори
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 35 V
Точність: ±10%
Типорозмір: Size-C
у наявності: 1917 шт
1818 шт - склад
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
70 шт - РАДІОМАГ-Київ
9 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 12.00 грн |
10+ | 10.60 грн |
100+ | 9.60 грн |
TW-59 Втулка ізоляційна для TO-3, 6,2мм Код товару: 180122
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: KangYang
Ізоляційні матеріали
Група: Інші ізоляційні матеріали
Опис: Шайба для встановлення на транзистор для запобігання короткому замиканню між кришкою транзистора та радіатором.
Колір: білий
Ізоляційні матеріали
Група: Інші ізоляційні матеріали
Опис: Шайба для встановлення на транзистор для запобігання короткому замиканню між кришкою транзистора та радіатором.
Колір: білий
у наявності: 3 шт
3 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 2.50 грн |
10+ | 1.90 грн |
100+ | 1.60 грн |
1000+ | 1.20 грн |
NIPPEL TO-220 Втулка ізоляційна для TO220, 6,1мм, макс.130°C Код товару: 26109
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Ізоляційні матеріали
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Колір: білий
Група: Ізоляційна втулка
Опис: Ізоляційна втулка для TO-220
Розмір: під корпус TO-220
Матеріал: Пластик
Колір: білий
у наявності: 34595 шт
33852 шт - склад
86 шт - РАДІОМАГ-Київ
156 шт - РАДІОМАГ-Львів
180 шт - РАДІОМАГ-Харків
188 шт - РАДІОМАГ-Одеса
133 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
86 шт - РАДІОМАГ-Київ
156 шт - РАДІОМАГ-Львів
180 шт - РАДІОМАГ-Харків
188 шт - РАДІОМАГ-Одеса
133 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 2.00 грн |
10+ | 1.50 грн |
100+ | 1.40 грн |
1000+ | 1.20 грн |