IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies


Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+326.55 грн
25+202.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFP4668PBFXKMA1 за ціною від 126.28 грн до 555.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+555.18 грн
10+551.92 грн
100+288.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+126.28 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+136.97 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+196.18 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d SP005732696
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+243.04 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Power MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+345.67 грн
37+335.94 грн
50+327.82 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN-3007086.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.28 грн
10+371.36 грн
25+210.44 грн
100+177.06 грн
250+173.43 грн
400+147.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4668-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c8528201d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.