IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.14 грн |
| 25+ | 215.02 грн |
| 100+ | 177.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFP4668PBFXKMA1 за ціною від 146.14 грн до 448.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 13800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005732696 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 2183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Power dissipation: 520W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 5411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
товару немає в наявності |