IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 369.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP4668PBFXKMA1 за ціною від 138.65 грн до 398.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005732696 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 4844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 4846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 130A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |