Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4668PBFXKMA1
IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+326.63 грн
3+276.71 грн
10+235.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Інші пропозиції IRFP4668PBFXKMA1 за ціною від 175.14 грн до 501.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+501.71 грн
25+284.10 грн
100+236.70 грн
500+186.56 грн
1000+175.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+331.93 грн
500+314.21 грн
1000+297.68 грн
10000+269.96 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 7790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+396.05 грн
10+268.51 грн
100+230.80 грн
400+213.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+397.04 грн
53+269.18 грн
100+231.37 грн
400+214.39 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+481.14 грн
10+302.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+484.05 грн
47+304.17 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 11963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+501.71 грн
25+284.10 грн
100+236.70 грн
500+186.56 грн
1000+175.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 3732313.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+331.93 грн
500+314.21 грн
1000+297.68 грн
10000+269.96 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 7790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+396.05 грн
10+268.51 грн
100+230.80 грн
400+213.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 7788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+397.04 грн
53+269.18 грн
100+231.37 грн
400+214.39 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+481.14 грн
10+302.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+484.05 грн
47+304.17 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 11963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.