IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES


infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+416.83 грн
3+352.39 грн
5+209.62 грн
13+198.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFP4668PBFXKMA1 за ціною від 180.97 грн до 502.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.70 грн
25+275.59 грн
50+250.60 грн
100+215.48 грн
500+180.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+225.72 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+271.83 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 11715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+385.61 грн
100+366.63 грн
500+347.64 грн
1000+315.78 грн
10000+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 10671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+391.62 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+490.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 10672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+502.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 32809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+486.70 грн
25+275.59 грн
50+250.60 грн
100+215.48 грн
500+180.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+225.72 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+271.83 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 11715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
93+385.61 грн
100+366.63 грн
500+347.64 грн
1000+315.78 грн
10000+275.44 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 10671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+391.62 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+490.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+490.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 10672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+502.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 32809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.