IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies


infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 192 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.10 грн
25+212.88 грн
100+175.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFP4668PBFXKMA1 за ціною від 142.07 грн до 414.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : INFINEON 3732313.pdf Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+397.12 грн
10+254.30 грн
100+209.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
190+168.97 грн
Мінімальне замовлення: 190
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
147+212.45 грн
500+201.05 грн
1000+190.69 грн
Мінімальне замовлення: 147
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf SP005732696
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 3768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+316.94 грн
58+214.88 грн
100+196.16 грн
400+157.12 грн
2800+144.02 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 3771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+338.05 грн
10+229.19 грн
100+209.22 грн
400+167.58 грн
2800+153.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
на замовлення 7141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.76 грн
10+238.37 грн
100+177.00 грн
400+142.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+414.54 грн
40+312.85 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.