Продукція > INFINEON > IRFP4668PBFXKMA1
IRFP4668PBFXKMA1

IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON

3732313.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+420.19 грн
10+243.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRFP4668PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 130 A, 8000 µohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Інші пропозиції IRFP4668PBFXKMA1 за ціною від 141.67 грн до 461.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFP4668PBFXKMA1 IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.48 грн
25+256.89 грн
100+212.12 грн
500+165.43 грн
1000+154.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+241.62 грн
500+228.65 грн
1000+216.87 грн
10000+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 6812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+367.00 грн
56+254.93 грн
100+220.66 грн
400+195.77 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf Power MOSFET
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.26 грн
10+256.50 грн
100+222.02 грн
400+196.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+436.64 грн
10+281.26 грн
100+171.98 грн
400+151.54 грн
1200+141.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
IRFP4668PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+461.48 грн
25+256.89 грн
100+212.12 грн
500+165.43 грн
1000+154.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
147+241.62 грн
500+228.65 грн
1000+216.87 грн
10000+196.62 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 6812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
39+367.00 грн
56+254.93 грн
100+220.66 грн
400+195.77 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 infineon-irfp4668-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
на замовлення 6815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+369.26 грн
10+256.50 грн
100+222.02 грн
400+196.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBFXKMA1 Infineon_IRFP4668_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 10325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+436.64 грн
10+281.26 грн
100+171.98 грн
400+151.54 грн
1200+141.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.