IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 465.55 грн |
| 3+ | 393.76 грн |
| 5+ | 211.96 грн |
| 13+ | 200.23 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4668PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFP4668PBFXKMA1 за ціною від 207.00 грн до 622.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V Power Dissipation (Max): 520W Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V |
на замовлення 920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 11215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 7497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 7497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Power MOSFET |
на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| IRFP4668PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 41536 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| IRFP4668PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 81A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10720 pF @ 50 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 549.67 грн |
| 25+ | 313.36 грн |
| 50+ | 285.36 грн |
| 100+ | 245.69 грн |
| 500+ | 207.00 грн |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
на замовлення 11215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 395.85 грн |
| 100+ | 376.36 грн |
| 500+ | 356.87 грн |
| 1000+ | 324.16 грн |
| 10000+ | 282.75 грн |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 423.93 грн |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 439.86 грн |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
на замовлення 7497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 444.22 грн |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 500.94 грн |
| IRFP4668PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 41536 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 622.75 грн |
| 10+ | 410.66 грн |
| 100+ | 287.31 грн |
| 400+ | 254.64 грн |
| 1200+ | 225.69 грн |