Інші пропозиції IRFP4710PBF за ціною від 130.98 грн до 371.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4710PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4710PBF - IRFP4710 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFETtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 22467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP4710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 23375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 72A 14mOhm 110nCAC |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFP4710PBF | Виробник : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 72 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 190 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-247A кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IRFP4710PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |