IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 342.55 грн |
| 10+ | 214.29 грн |
| 25+ | 186.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFP4768PBFXKMA1 за ціною від 144.64 грн до 415.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 1721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|