IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 370A
Technology: HEXFET®
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 384.71 грн |
| 10+ | 233.64 грн |
| 25+ | 208.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm.
Інші пропозиції IRFP4768PBFXKMA1 за ціною від 192.66 грн до 503.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 1029 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 3229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 13400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 503.97 грн |
| 25+ | 285.88 грн |
| 50+ | 260.04 грн |
| 100+ | 223.63 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 226.92 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 226.92 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 322.60 грн |
| 50+ | 319.34 грн |
| 100+ | 282.05 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 44+ | 324.74 грн |
| 50+ | 321.48 грн |
| 100+ | 223.01 грн |
| 500+ | 204.46 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 325.86 грн |
| 25+ | 322.60 грн |
| 50+ | 319.34 грн |
| 100+ | 282.05 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 328.47 грн |
| 44+ | 325.15 грн |
| 100+ | 231.63 грн |
| 500+ | 221.19 грн |
| 1000+ | 202.70 грн |
| 2000+ | 192.66 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 328.79 грн |
| 44+ | 325.50 грн |
| 100+ | 287.60 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 329.27 грн |
| 25+ | 326.01 грн |
| 50+ | 322.74 грн |
| 100+ | 223.89 грн |
| 500+ | 205.26 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 335.16 грн |
| 500+ | 317.52 грн |
| 1000+ | 299.88 грн |
| 10000+ | 272.16 грн |