IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 370A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 509.28 грн |
| 6+ | 189.33 грн |
| 15+ | 178.29 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm.
Інші пропозиції IRFP4768PBFXKMA1 за ціною від 199.97 грн до 561.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100VPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
на замовлення 1652 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP4768PBFXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 520W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 3228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 3027 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 3029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Infineon Technologies |
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768 |
на замовлення 13400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 527.68 грн |
| 25+ | 299.23 грн |
| 50+ | 272.22 грн |
| 100+ | 234.13 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 561.76 грн |
| 10+ | 296.77 грн |
| 100+ | 236.99 грн |
| 400+ | 236.24 грн |
| 1200+ | 213.67 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 235.53 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 235.53 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 340.94 грн |
| 44+ | 337.49 грн |
| 100+ | 240.42 грн |
| 500+ | 229.59 грн |
| 1000+ | 210.39 грн |
| 2000+ | 199.97 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 341.22 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 341.27 грн |
| 44+ | 337.85 грн |
| 100+ | 298.52 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 341.58 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 342.50 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 343.85 грн |
| IRFP4768PBFXKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 347.88 грн |
| 500+ | 329.57 грн |
| 1000+ | 311.26 грн |
| 10000+ | 282.49 грн |





