Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4768PBFXKMA1
IRFP4768PBFXKMA1

IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 370A
Technology: HEXFET®
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+381.13 грн
10+231.47 грн
25+206.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 520W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm.

Інші пропозиції IRFP4768PBFXKMA1 за ціною від 192.61 грн до 510.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.26 грн
25+289.29 грн
50+263.13 грн
100+226.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies Infineon_IRFP4768_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON 2332087.pdf Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+227.43 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+227.43 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+327.54 грн
25+324.26 грн
100+286.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.38 грн
25+325.06 грн
100+231.57 грн
500+221.13 грн
1000+202.64 грн
2000+192.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.20 грн
44+325.88 грн
100+232.15 грн
500+221.69 грн
1000+203.15 грн
2000+193.09 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+329.52 грн
44+326.22 грн
100+288.24 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+335.91 грн
500+318.23 грн
1000+300.55 грн
10000+272.77 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+510.26 грн
25+289.29 грн
50+263.13 грн
100+226.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon_IRFP4768_DS_v02_00_EN.pdf
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 1029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 2332087.pdf
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 520W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
на замовлення 621 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+227.43 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+227.43 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+327.54 грн
25+324.26 грн
100+286.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+328.38 грн
25+325.06 грн
100+231.57 грн
500+221.13 грн
1000+202.64 грн
2000+192.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 3228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+329.20 грн
44+325.88 грн
100+232.15 грн
500+221.69 грн
1000+203.15 грн
2000+193.09 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+329.52 грн
44+326.22 грн
100+288.24 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 infineonirfp4768datasheetv0202en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Transistor MOSFET N-CH 250V 93A IRFP4768
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
106+335.91 грн
500+318.23 грн
1000+300.55 грн
10000+272.77 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.