IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 93A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 372.20 грн |
| 10+ | 280.60 грн |
| 100+ | 217.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFP4768PBFXKMA1 за ціною від 161.70 грн до 418.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO247-3-901 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V |
на замовлення 382 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247AC Drain-source voltage: 250V Drain current: 66A On-state resistance: 17.5mΩ Power dissipation: 520W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 370A Mounting: THT |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IRFP4768PBFXKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
товару немає в наявності |