Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFP4868PBFAKMA1

IRFP4868PBFAKMA1 Infineon Technologies

Name: IRFP4868PBFAKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 83445235-3
Price: 677.78 UAH
Availability: InStock

Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V

на замовлення 2243 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	677.78 грн
25+	390.26 грн
50+	356.35 грн
100+	307.64 грн
500+	260.77 грн

В кошику од. на суму грн.

Товар під замовлення

Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.

термін постачання: 21-31 дні (днів)

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFP4868PBFAKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFP4868PBFAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 517W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm.

Інші пропозиції IRFP4868PBFAKMA1

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IRFP4868PBFAKMA1	INFINEON	Description: INFINEON - IRFP4868PBFAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm	на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

IRFP4868PBFAKMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4868PBFAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.032 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 517W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm

на замовлення 354 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.