IRFP90N20DPBF
Код товару: 23066
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247
Uds,V: 200 V
Idd,A: 94 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP90N20DPBF за ціною від 187.68 грн до 632.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 94A Power dissipation: 580W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 580W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC |
на замовлення 2546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 580W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
на замовлення 1024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 47+ | 303.81 грн |
| 48+ | 300.64 грн |
| 100+ | 267.38 грн |
| 500+ | 255.20 грн |
| 1000+ | 233.96 грн |
| 2000+ | 205.35 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 304.57 грн |
| 25+ | 301.41 грн |
| 100+ | 268.06 грн |
| 500+ | 255.85 грн |
| 1000+ | 234.56 грн |
| 2000+ | 205.87 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 311.00 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 342.16 грн |
| 10+ | 244.59 грн |
| 25+ | 222.74 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 365.22 грн |
| 40+ | 361.54 грн |
| 100+ | 306.11 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 502.76 грн |
| 25+ | 285.28 грн |
| 100+ | 237.90 грн |
| 500+ | 187.68 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 527.90 грн |
| 10+ | 300.33 грн |
| 100+ | 218.56 грн |
| 400+ | 199.01 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 580W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 580W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 540.12 грн |
| 10+ | 290.02 грн |
| 100+ | 262.32 грн |
| 500+ | 239.04 грн |
| 1000+ | 215.77 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 632.53 грн |
| 50+ | 426.01 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| ES1J Код товару: 3349
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/TSC/HOTTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 1 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 20 ns
у наявності: 1277 шт
- 710 шт - склад
- 232 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 185 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 150 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.00 грн |
| 10nF 500V X7R M(+/-20%) (R20W103M2HH5-L-Hitano) Код товару: 3318
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 500 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±20% M
Крок: 5,08 mm
Part Number: R20W103M2HH5-L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 500 V
ТКЕ: X7R
Точність: ±20% M
Крок: 5,08 mm
Part Number: R20W103M2HH5-L
у наявності: 8301 шт
- 7639 шт - склад
- 152 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 170 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 179 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 161 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| VCR-20D681K (варистор) Код товару: 3244
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680 (612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@100 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1,0 W
Ємність, pF: 600 pF
Розмір: 20D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 420/560 V
Uвар, V: 680 (612...748) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@100 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 1,0 W
Ємність, pF: 600 pF
Розмір: 20D
у наявності: 780 шт
- 730 шт - склад
- 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
| 1000+ | 12.90 грн |
| 1uF 50V ECR 5x11mm (ECR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3144
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8339 шт
- 7812 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 99 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 216 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 192 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 1nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N102J1HL2-L-Hitano) Код товару: 2901
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N102J1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N102J1HL-2L
у наявності: 5164 шт
- 5016 шт - склад
- 132 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.70 грн |
| 100+ | 2.40 грн |
| 1000+ | 2.10 грн |











