IRFP90N20DPBF
Код товару: 23066
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 94 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,023 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6040/180
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 185.00 грн |
| 10+ | 173.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP90N20DPBF за ціною від 183.90 грн до 626.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 94A Power dissipation: 580W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V Power Dissipation (Max): 580W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 580W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm |
на замовлення 1024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC |
на замовлення 2546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFP90N20DPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 301.11 грн |
| 48+ | 297.97 грн |
| 100+ | 265.00 грн |
| 500+ | 252.94 грн |
| 1000+ | 231.88 грн |
| 2000+ | 203.53 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 301.87 грн |
| 25+ | 298.73 грн |
| 100+ | 265.68 грн |
| 500+ | 253.58 грн |
| 1000+ | 232.48 грн |
| 2000+ | 204.04 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 308.24 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 335.26 грн |
| 10+ | 239.66 грн |
| 25+ | 218.25 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 361.98 грн |
| 40+ | 358.32 грн |
| 100+ | 303.39 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 94A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 94A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 580W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 492.63 грн |
| 25+ | 279.53 грн |
| 100+ | 233.11 грн |
| 500+ | 183.90 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 626.90 грн |
| 50+ | 422.22 грн |
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 580W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
Description: INFINEON - IRFP90N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 94 A, 0.023 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 580W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
MOSFETs MOSFT 200V 94A 23mOhm 180nCAC
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFP90N20DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 94A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| ES1J Код товару: 3349
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ/TSC/HOTTECH
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Зворотна напруга Vrr, В: 600 В
Середній струм Iav, А: 1 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 20 ns
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: SMA/DO-214AC
Зворотна напруга Vrr, В: 600 В
Середній струм Iav, А: 1 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 20 ns
Монтаж: SMD
УКТЗЕД: 8541 10 00 90
у наявності: 1251 шт
- 684 шт - склад
- 232 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 185 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 150 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.00 грн |
| 10nF 500V X7R M(+/-20%) (R20W103M2HH5-L-Hitano) Код товару: 3318
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 10 нФ
Номін. напруга: 500 В
ТКЄ: X7R
Точність: ±20% M
Крок: 5,08 мм
Part Number: R20W103M2HH5-L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 10 нФ
Номін. напруга: 500 В
ТКЄ: X7R
Точність: ±20% M
Крок: 5,08 мм
Part Number: R20W103M2HH5-L
у наявності: 8296 шт
- 7639 шт - склад
- 152 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 165 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 179 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 161 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.50 грн |
| 100+ | 3.10 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| VCR-20D681K (варистор) Код товару: 3244
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, В: 420/560 В
Uвар, В: 680(612...748) В
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@100 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 А
Потужність, Вт: 1 Вт
Ємність, пФ: 600 пФ
Розмір: 20D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, В: 420/560 В
Uвар, В: 680(612...748) В
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 1120@100 B@A
Iмакс.(8/20мкс): 6500 А
Потужність, Вт: 1 Вт
Ємність, пФ: 600 пФ
Розмір: 20D
у наявності: 775 шт
- 726 шт - склад
- 8 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 5 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 14.40 грн |
| 1000+ | 12.90 грн |
| 1uF 50V ECR 5x11mm (ECR010M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3144
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1 мкФ
Номін. напруга: 50 В
Серія: ECR
Тип: загального призначення, підходять для автоматичної установки, мініатюрні, 85°C
Темп. діапазон: -40...+85°С
Габарити: 5x11 мм
Строк служби: 2000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 8173 шт
- 7738 шт - склад
- 20 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 99 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 188 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 128 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 19+ | 1.10 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
| 1nF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N102J1HL2-L-Hitano) Код товару: 2901
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1 нФ
Номін. напруга: 50 В
ТКЄ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 мм
Part Number: R15N102J1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 1 нФ
Номін. напруга: 50 В
ТКЄ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 мм
Part Number: R15N102J1HL-2L
у наявності: 5248 шт
- 5100 шт - склад
- 132 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 16 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.70 грн |
| 100+ | 2.40 грн |
| 1000+ | 2.10 грн |











