IRFPC50 Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; IRFPC50 TIRFPC50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; IRFPC50 TIRFPC50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 114.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPC50 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFPC50 за ціною від 114.41 грн до 114.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFPC50 | Виробник : Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; IRFPC50 TIRFPC50 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
IRFPC50 Код товару: 83094 |
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 11 А Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2700/140 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||
 |
IRFPC50 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||
 |
IRFPC50 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
|||||
 |
IRFPC50 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFPC50PBF |
товар відсутній |